| 发明名称 | 铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法：将锌扩散源和扩散晶片放入位于扩散管中的石英箱中，经抽真空/充氮气循环，在氮气保护气体中进行锌扩散，用这种方法获得的芯片不仅和真空封管扩散所获得的芯片具有同样的均匀性，重复性和光电特性，而且工艺简单，方便，安全，成本低，适合于大批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN1767152A | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN200410036170.1 | 申请日期 | 2004.10.25 |
| 申请人 | 厦门三安电子有限公司 | 发明人 | 徐之韬;邱树添 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L21/22(2006.01) |
| 代理机构 | 厦门原创专利事务所 | 代理人 | 徐东峰 |
| 主权项 | 1.铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将锌扩散源和扩散晶片放入位于扩散石英管中的石英箱中；(2)将扩散石英管抽真空/通氮气循环后，保持常压氮气流量；(3)将扩散炉推进扩散石英管进行高温扩散，扩散时间为10-60分钟，扩散温度为摄氏450--600度；(4)扩散完毕，推出扩散炉；(5)冷却至室温后取片。 | ||
| 地址 | 361009福建省厦门市吕岭路1721号 | ||