薄膜形成方法及薄膜形成装置

摘要

本发明之薄膜形成方法系具备：将真空容器(11)内部维持真空之制程，在配设于真空容器(11)之基板保持具(13)上保持基板之基体保持制程，将基板搬送至成膜处理区(20,40)来进行成膜处理之成膜处理制程，将成膜处理后之基板搬送至反应处理区(60)来进行电浆处理之电浆处理制程，藉由反覆进行成膜处理制程及电浆处理制程来在基板上形成薄膜，其特征在于，个别对成膜处理区(20,40)及反应处理区(60)至少导入非活性气体。