半导体磊晶晶圆

摘要

在P-矽基板之表面侧，层积复数层之磊晶层，在背面侧，并无进行任何层积。使得复数层之磊晶层中之接合于矽基板之磊晶层，成为P+之第1磊晶层。可以藉由像这样在磊晶层，接近P+层，而即使是在低温之元件制造制程，也有效地进行除气，能够提高磊晶晶圆之制造良品率。因此，减低磊晶晶圆之制造成本。

主权项

1.一种半导体磊晶晶圆,在半导体基板来层积磊晶 层, 其特征在于: 仅在前述半导体基板之表面侧,重叠复数层之磊晶 层,同时,使得前述复数层之磊晶层中之接合于前 述半导体基板之磊晶层之杂质浓度,成为形成除气 部位之程度之高浓度,使得前述半导体基板之杂质 浓度,成为抑制来自背面侧之杂质释出之程度之低 浓度。 2.一种半导体磊晶晶圆,在半导体基板来层积磊晶 层, 其特征在于: 仅在前述半导体基板之表面侧,重叠复数层之磊晶 层,同时,使得前述复数层之磊晶层中之接合于前 述半导体基板之磊晶层之杂质浓度,成为2.771017~5. 491019(atoms(原子数)/cm3),使得前述半导体基板之杂 质浓度,成为1.331014~1.461016(atoms(原子数)/cm3)。 3.一种半导体磊晶晶圆,在半导体基板来层积磊晶 层, 其特征在于: 仅在前述半导体基板之表面侧,重叠复数层之磊晶 层,同时,使得前述复数层之磊晶层中之接合于前 述半导体基板之磊晶层之电阻率,成为0.002~0.1( cm),使得前述半导体基板之电阻率,成为1~100( cm)。 4.如申请专利范围第1、2或3项之半导体磊晶晶圆, 其中,接合于前述半导体基板之磊晶层系包含硼。 图式简单说明: 图1系本发明之磊晶晶圆之剖面图。 图2系显示磊晶层之层积程序之流程图。 图3系显示磊晶晶圆之杂质浓度之轮廓之图。 图4系习知之磊晶晶圆之剖面图。 图5系习知之磊晶晶圆之剖面图。