Transistor einer nicht flüchtigen Speichervorrichtung mit einer dielektrischen Gatestruktur, welche fähig zum Einfangen von Ladungen ist, und ein Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung

摘要

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Transistor einer flüchtigen Speichervorrichtung mit einer dielektrischen Gatestruktur, welche fähig ist, Ladungen einzufangen, und ein Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung. Der Transistor in einem Zellbereich einer flüchtigen Speichervorrichtung beinhaltet ein Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps; eine dielektrische Gatestruktur, welche fähig ist, Ladungen einzufangen, und auf dem Substrat gebildet ist; ein Gate, welches auf der dielektrischen Gatestruktur gebildet ist; eine Gate-Isolationsschicht, welche auf dem Gate gebildet ist; ein Source/Drain eines zweiten Leitfähigkeitstyps, welches in einem vorbestimmten Bereich des Substrats gebildet ist, welcher unterhalb jeder lateralen Seite des Gates angeordnet ist; und einen Kanalionenimplantierungsbereich des ersten Leitfähigkeitstyps, welcher in einem vorbestimmten Bereich des Substrats gebildet ist, welcher unterhalb des Gates angeordnet ist.