| 主权项 |
1.一种发光二极体装置,包括: 一发光二极体晶片,具有两电极; 金属导线架,至少有两独立区域,分别电性偶合于 前述之两电极; 一组与该发光二极体晶片并联之保护线路,该线路 包含有两个以上串联之二极体,其中包含至少有一 与该发光二极体晶片电极性为同向之二极体及至 少有一与该发光二极体晶片电极性为反向之二极 体; 该保护线路之所有与上述发光二极体晶片电极性 反向之二极体崩溃电压的总和高于该发光二极体 晶片之顺向工作电压; 该保护线路之所有与上述发光二极体晶片电极性 同向之二极体崩溃电压的总和高于该发光二极体 晶片所须之逆向测试电压,并低于该发光二极体晶 片之可承受最大逆向电压。 2.根据申请专利范围第1项之发光二极体装置,其中 保护线路之所有与上述发光二极体晶片电极性反 向之二极体崩溃电压的总和低于该发光二极体晶 片之可承受最大顺向电压。 3.根据申请专利范围第1项之发光二极体装置,其中 保护线路的二极体可为齐纳二极体(Zener diode)或发 光二极体或其组合。 4.根据申请专利范围第1项之发光二极体装置,该发 光二极体晶片固装于一印刷电路板、陶瓷材料、 矽基板或其组合之载体上,该载体并以焊线、焊接 或黏着方式电性耦合至导线架。 5.根据申请专利范围第1项之发光二极体装置,该发 光二极体晶片系固装于该导线架上。 6.根据申请专利范围第4项之发光二极体装置,该载 体系固装于一独立之金属散热体承载,且裸露该金 属散热体之下方提供散热。 7.根据申请专利范围第1项之发光二极体装置,该发 光二极体晶片系固装于一独立之金属散热体,并以 焊线将晶片之两个电极分别电性耦合至该导线架, 且裸露该金属散热体之下方提供散热。 8.一种发光二极体装置,包括: 一发光二极体晶片,具有两电极; 金属专线架,至少有两独立区域,分别电性偶合于 前述之两电极; 第一接脚及第二接脚; 复数个串连或并联或其组合之发光二极体晶片组, 其正极电性耦合于第一接脚,负极电性耦合于第二 接脚; 一组与该发光二极体晶片组并联之保护线路,该线 路包含有两个以上之二极体,其中包含至少有一与 该发光二极体晶片组电极性为同向之二极体及至 少有一与该发光二极体晶片组电极性为反向之二 极体; 该保护线路之所有与上述发光二极体晶片组电极 性反向之二极体崩溃电压的总和高于该发光二极 体晶片组之顺向工作电压; 该保护线路之所有与上述发光二极体晶片组电极 性同向之二极体崩溃电压的总和高于该发光二极 体晶片组所须之逆向测试电压并低于该发光二极 体晶片组之可承受最大逆向电压。 9.根据申请专利范围第8项之发光二极体装置,其中 保护线路之所有与上述发光二极体晶片组电极性 反向之二极体崩溃电压的总和低于该发光二极体 晶片组之可承受最大顺向电压。 10.根据申请专利范围第8项之之发光二极体装置, 其中保护线路的二极体可为齐纳二极体或发光二 极体或其组合。 11.根据申请专利范围第8项之发光二极体装置,该 发光二极体晶片系固装于一印刷电路板、陶瓷材 料、矽基板或其组合之载体上。 12.根据申请专利范围第8项之发光二极体装置,该 发光二极体晶片系固装于该导线架上。 13.根据申请专利范围第12项之发光二极体装置,该 发光二极体晶片系直接固装在一独立之金属散热 体上,且裸露该金属散热体之下方提供散热。 14.根据申请专利范围第8项之发光二极体装置,该 载体系固装于一独立之金属散热体上,并以焊线将 晶片之两个电极分别电性耦合至该导线架,且裸露 该金属散热体之下方提供散热。 图式简单说明: 第一图系传统之一种应用于手机LCD背光源之发光 二极体装置 第二图系传统之一种应用于手机按键背光源之发 光二极体装置 第三图系传统之防静电设计应用于手机LCD背光源 之发光二极体装置 第四图系传统之防静电设计应用于手机按键背光 源之发光二极体装置 第五图系本发明之防静电设计应用于手机LCD背光 源之发光二极体装置之一种应用例 第六图系本发明之防静电设计逆向电压电流图 第七图系本发明之防静电设计应用于一种高功率 之发光二极体装置之一种应用例 第八图系第七图之电性示意图 第九图系本发明之防静电设计应用于另一种高功 率之发光二极体装置之一种应用例及其电性示意 图 |
