| 主权项 |
1.一种半导体装置之曝光处理方法,其中一决定的图案被转移至半导体装置上,此方法包含:一读取步骤,从资料库,读取照明参数、光阻参数、电路图案资讯及许多曝光装置中所使用的投影透镜之像差资讯,用于执行图案转移;一执行步骤,根据照明参数、光阻参数、电路图案资讯及许多曝光装置中所使用的投影透镜之像差资讯,执行光显影模拟,用于执行图案转移;一计算步骤,计算焦点偏移及曝光能量之最佳値以及焦点与曝光能量之边限;及一执行步骤,使用许多曝光装置中曝光能量及焦点之边限满足预定的误差之曝光装置,执行曝光处理。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之曝光处理方法,进一步包含:一计算步骤,在由计算步骤计算的许多曝光装置中,使用曝光能量及焦点之边限,计算曝光装置之指定优先顺序;及一曝光装置指定步骤,根据曝光装置之优先顺序,选定曝光处理所使用的曝光装置。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之曝光处理方法,其中曝光参数计算步骤以光显影模拟器决定曝光能量及焦点之范围,其中转移图案之改变是在预定范围内,并取出它们的中央値作为曝光能量及焦点偏移之最佳値。4.如申请专利范围第2项之半导体装置之曝光处理方法,其中曝光装置指定步骤包含:(1)一计算步骤,根据半导体装置之订单条件及半导体制造线的制造处理资讯,计算各曝光装置之指定优先顺序;(2)一计算步骤,从曝光参数计算步骤所计算的曝光能量及焦点之边限,计算指定优先顺序;及(3)一计算步骤,依据该(1)与(2)所计算的曝光装置之指定优先顺序,使用半导体装置所设定的权衡函数,计算处理中的指定优先顺序。5.一种半导体装置之曝光处理系统,其中预定的图案被转移至半导体装置上,此系统包含:一资料库,储存照明参数、光阻参数、电路图案资讯及许多曝光装置中所使用的投影透镜之像差资讯,用于执行图案转移;一计算处理装置,根据照明参数、光阻参数、电路图案资讯及许多组用于执行图案转移之像差资讯,执行光显影模拟,并计算焦点偏移及曝光能量之最佳値以及焦点与曝光能量之边限;及一装置,指示许多的曝光装置中曝光能量及焦点的边限满足预定的误差之曝光装置执行曝光处理。6.如申请专利范围第5项之半导体装置之曝光处理系统,其中计算处理装置,在许多曝光装置中,使用曝光能量及焦点之计算的边限,计算曝光装置之指定优先顺序;且其中根据曝光装置之优先顺序,选定曝光处理所使用的曝光装置。7.如申请专利范围第5项之半导体装置之曝光处理系统,其中计算处理装置以光显影模拟器决定曝光能量及焦点之范围,其中转移图案之改变是在预定范围内,并取出它们的中央値作为曝光能量及焦点之最佳値。8.一种半导体之曝光系统,包含:一第一资讯讯库部份,储存许多曝光装置之投影透镜的像差资讯;一第二资讯库部份,储存半导体装置制造之曝光步骤的照明资讯;一第三资讯库部份,储存半导体装置制造之曝光步骤所使用的电话图案资讯;一第四资讯库部份,储存指定半导体装置之标准;一第五资讯库部份,用于计算曝光能量及焦点偏移之边限及最佳値;及一第二资料计算部份,根据指定半导体装置之标准,用于指定许多曝光装置中曝光能量及焦点之边限为最大値之曝光装置,并以曝光装置执行曝光处理。图式简单说明:图1是一方块图,指出依据本发明之用于曝光半导体装置之方法及其系统的第一个实施例;图2是一图形,指出制造半导体装置之图案转移方法;图3是一图形,指出投影还原曝光装置之造形;图4是一图形,指出计算曝光能量及焦点偏移之方法;图5是一图形,指出由于投影透镜之不同像差所引起的处理窗之改变;图6是一图形,指出计算投影透镜之像差的方法;图7是一流程图,指出依据本发明,用于计算焦点偏移及曝光能量之最佳値以及焦点与曝光能量之边限的方法;图8是一流程图,指出依据本发明,藉着选定曝光能量与焦点的边限很大之曝光装置,用于执行曝光处理之方法;图9是一图形,指出依据本发明,曝光装置、方块、曝光能量及焦点偏移的计算结果之输出银幕的例子;图10是一方块图,指出本发明的第二个实施例;图11是一方块图,指出本发明的第三个实施例;及图12是一方块图,指出依据本发明,用于选定曝光装置之方法。 |
