| 发明名称 | 有源区键合兼容高电流的结构 | ||
| 摘要 | 一种在键合焊盘下具有电路的集成电路。在一个实施例中，该集成电路包括：衬底；顶部导电层；一层或多层中间导电层；绝缘材料层和器件。顶部导电层具有至少一个键合焊盘和相对坚硬的材料亚层。一层或多层中间导电层形成于顶部导电层和衬底之间。绝缘材料层分离导电层。而且，绝缘层中的一层相对较硬且位于顶部导电层与最接近顶部导电层的中间导电层之间。器件形成在集成电路中。另外，至少最接近于顶部导电层的中间导电层适合于键合焊盘下的选择器件的实用互连。 | ||
| 申请公布号 | CN1645606A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN200410095946.7 | 申请日期 | 2004.08.20 |
| 申请人 | 英特塞尔美国公司 | 发明人 | 约翰·T.·加斯纳;迈克尔·D.·丘奇;萨米尔·D.·帕拉博;小保罗·E.·贝克曼;戴维·A.·德克罗斯塔;罗伯特·L.·罗曼尼科;克里斯·A.·迈克卡迪 |
| 分类号 | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L23/522 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1、一种集成电路，包括：衬底；顶部导电层，顶部导电层具有至少一个键合焊盘和相对坚硬材料的亚层；一个或多个形成于顶部导电层与衬底之间的中间导电层；将导电层彼此分离的绝缘材料层，绝缘材料层中的一层相对坚硬并位于顶部导电层与最接近于顶部导电层的中间导电层之间；和形成在集成电路中的器件，其中至少最接近于顶部导电层的中间导电层适用于在键合焊盘下的选择器件的实用互连。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||