半导体节距之制造方法

摘要

一种半导体节距之制造方法。首先，提供一基板，并依序形成一闸氧化层、多晶矽层及图案化氮化矽层于基板上。图案化氮化矽层具有第一节距及数个第一开口，各第一开口之大小为第一节距的四分之一。形成一图案化氧化物层，以填满第一开口并覆盖部分之图案化氮化矽层，图案化氧化物层具有第一节距及数个第二开口，第二开口系与下方的第一开口交错排列，第二开口之大小为第一节距之四分之一。去除暴露之图案化氮化矽层，以形成另一图案化氮化矽层，另此图案化氮化矽层具有第二节距、数个第三开口及第一开口。第二节距为第一节距的一半，第一开口系与第三开口交错排列，各第三开口之大小为第二节距之一半。去除图案化氧化物层并去除暴露之第一多晶矽层，以形成一具有第二节距之第一图案化多晶矽层。