| 发明名称 | 使用双波长形成自动对准图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露一种在次光刻尺度图案化细微结构的集成电路制造方法。该制造方法包括接续地曝光具有光碱产生剂和催化量的水的芳基烷氧基硅烷的薄膜。该薄膜涂层在设在基材上的现有的亲脂性光阻层上方，并以第一及第二光刻波长的辐射来曝照。该第一光刻波长短于该第二光刻波长。对第一光刻波长的曝光造成在该光阻层中形成一个自动对准光罩。 | ||
| 申请公布号 | CN1620634A | 申请公布日期 | 2005.05.25 |
| 申请号 | CN03802528.0 | 申请日期 | 2003.02.21 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | U·奥科罗安彦乌;A·C·博泰利 |
| 分类号 | G03F7/095;G03F7/075 | 主分类号 | G03F7/095 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种集成电路制造方法，其特征为：以具有第一光刻波长(λ1)的第一辐射(16)对形成于底材之上的光阻材料(14)进行曝光，该光阻材料包括芳基烷氧基硅烷(15)；依照光罩或罩幕所提供的图案将该光阻材料(14)的顶部进行选择性的变换；以及以具有第二光刻波长(λ2)的第二辐射(30)对该光阻材料(14)进行曝光，其中该第一光刻波长(λ1)小于该第二光刻波长(λ2)，且该光阻材料(14)的变换后的顶部对于该第二辐射(λ2)而言是不透明的。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||