TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION

摘要

L'invention concerne un procédé de formation d'un transistor bipolaire à hétérojonction comprenant les étapes suivantes : former dans un substrat semiconducteur une zone de collecteur d'un premier type de dopage ; faire croître par épitaxie au-dessus de la zone de collecteur une couche de silicium/germanium d'un second type de dopage constituant une zone de base ; former un émetteur sacrificiel au-dessus de la couche de silicium/germanium ; former des premiers espaceurs isolants sur les flancs de l'émetteur sacrificiel ; faire croître par épitaxie une couche de silicium au-dessus des parties découvertes de la couche de silicium/germanium ; former des seconds espaceurs isolants accolés aux premiers espaceurs et posés sur la couche de silicium ; recouvrir la structure d'une couche isolante ; éliminer partiellement la couche isolante au-dessus de l'émetteur sacrificiel et éliminer l'émetteur sacrificiel ; remplir l'espace précédemment occupé par l'émetteur sacrificiel d'un matériau semiconducteur du premier type de dopage.