分析材料成份的方法和装置

摘要

本发明公开了一种分析半导体材料的成份的方法，包括用能量源的能量辐射半导体材料，能量从该半导体材料衍射，检测衍射能量的一部分或多部分，并分析每个检测到的部分以获得一个表示每部分强度的参数，并利用对衍射能量部分的位置和/或强度的了解来确定半导体的化学成份。检测到的每部分衍射能量可以是从材料衍射的准禁止反射，可以是从材料衍射的(002)反射或(006)反射。对每部分衍射能量的检测可以在一个或多个检测角(9)处进行，或者在衍射能量源的所有反射/透射的角处进行，或在一个或多个角度的范围内进行。能量源可包括x射线管产生的x射线，可以用一个或多个检测器(4)检测衍射能量的每部分。

主权项

1.一种确定晶体半导体材料的化学成份中不同化学元素E1至En的相对量的方法，该方法包括从晶体材料衍射辐射束并测量至少一个衍射峰的角度和表示一部分该衍射辐射的强度的参数，该参数为至少一个衍射峰、或至少一个衍射峰的一部分上的集中区域，至少一个位于所述衍射角，并通过使用从元素E1至En的辐射散射功率、位置和表示强度的参数导出的值并利用处理器确定晶体材料的化学成份中元素E1至En的相对量。