| 主权项 |
1.一种在半导体结构内形成空气间隙之方法,其步骤至少包含:(i)使用一种牺牲材料在半导体结构中占据一个封闭的内部容积;(ii)使该牺牲材料分解成一种或多种气态的分解产物;及(iii)该一种或多种气态的分解产物的至少一种藉由通过至少一层邻近内部容积的固体层而移除;其中该牺牲材料分解后会在先前所占据之封闭的内部容积中遗留下空气间隙;及该牺牲材料至少包含一种聚合物组成物,其选自一种或多种的聚碳酸酯聚合物类、聚酯聚合物类、聚醚聚合物类、甲基丙烯酸酯聚合物类、丙烯酸酯聚合物类或其混合物。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该牺牲材料为一种聚碳酸酯聚合物,其至少包含由一般式表示之重复单位:其中R为线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基,及n等于2至100,000。3.如申请专利范围第2项之方法,其中n等于2至10,000。4.如申请专利范围第2项之方法,其中n等于2至1,000。5.如申请专利范围第2项之方法,其中该牺牲材料系选自聚碳酸亚乙基酯、聚碳酸亚丙基酯或其混合物。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该牺牲材料为一种聚酯聚合物,其至少包含由一般式表示的重复单位:其中R为线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基;x为从1至20的整数;及n等于2至100,000。7.如申请专利范围第6项之方法,其中n等于2至10,000。8.如申请专利范围第6项之方法,其中n等于2至1,000。9.如申请专利范围第6项之方法,其中x为从1至10的整数。10.如申请专利范围第6项之方法,其中x为从1至6的整数。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该牺牲材料为一种聚醚聚合物,其至少包含由一般式表示之重复单位:其中R20及R21各自独立地为线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基,及n等于2至100,000。12.如申请专利范围第11项之方法,其中n等于2至10,000。13.如申请专利范围第11项之方法,其中n等于2至1,000。14.如申请专利范围第1项之方法,其中该牺牲材料系选自一种聚甲基丙烯酸甲酯聚合物、丙烯酸酯聚合物或其混合物,其中该呈现的聚合物每个之分子量1,000至1,000,000。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该聚甲基丙烯酸甲酯及/或丙烯酸酯聚合物之分子量10,000至500,000。16.如申请专利范围第14项之方法,其中该聚甲基丙烯酸甲酯及/或丙烯酸酯聚合物之分子量100,000至250,000。17.一种在半导体结构中形成一个或多个空气间隙之方法,其步骤包括:(I)在基材上形成一种有图案的牺牲材料层,而与欲在半导体结构中形成的一个或多个间隙图案相符合;(II)在与牺牲材料接壤的区域内之基材上沈积第二种材料;(III)在与牺牲材料接壤的区域中形成一罩面材料层而覆盖在有图案的牺牲材料层及第二种材料上;(IV)使该牺牲材料分解成一种或多种气态的分解产物;及(V)该一种或多种气态的分解产物的至少一种藉由通过罩面层而移除,所以在半导体结构内形成一个或多个空气间隙,其中该牺牲材料为一种聚合物组成物,其选自一种或多种聚碳酸酯聚合物类、聚酯聚合物类、聚醚聚合物类、甲基丙烯酸酯聚合物类、丙烯酸酯聚合物类或其混合物。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该牺牲材料为一种聚碳酸酯聚合物,其至少包含由一般式表示之重复单位:其中R为线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基线性及分枝的(C3至C20)烯烃基,及n等于2至100,000。19.如申请专利范围第18项之方法,其中n等于2至10,000。20.如申请专利范围第18项之方法,其中该牺牲材料系选自聚碳酸亚乙基酯、聚碳酸亚丙基酯或其混合物。21.如申请专利范围第17项之方法,其中该牺牲材料为一种聚酯聚合物,其至少包含由一般式表示之重复单位:其中R为线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基;x为从1至20的整数;及n等于2至100,000。22.如申请专利范围第21项之方法,其中n等于2至10,000。23.如申请专利范围第21项之方法,其中x为从1至10的整数。24.如申请专利范围第17项之方法,其中该牺牲材料为一种聚醚聚合物,其至少包含由一般式表示之重复单位:其中R20及R21各自独立地为线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基,及n等于2至100,000。25.如申请专利范围第24项之方法,其中n等于2至10,000。26.如申请专利范围第17项之方法,其中该牺牲材料系选自一种聚甲基丙烯酸甲酯聚合物、一种丙烯酸酯聚合物或其混合物,其中该呈现的聚合物每个之分子量1,000至1000,000。27.如申请专利范围第26项之方法,其中该聚甲基丙烯酸甲酯及/或丙烯酸酯聚合物之分子量10,000至500,000。28.一种具有至少一个空气间隙在其中的半导体装置,其包括:一基材;至少一条导电线或导线;至少一个空气间隙;及一罩面层;其中至少一个空气间隙系根据申请专利范围第17项之方法制造。29.如申请专利范围第28项之半导体装置,其中至少一个空气间隙的高度超过毗连的导电线或导线之高度。30.一种在半导体结构内形成空气间隙之方法,其步骤包括:使用至少一种牺牲材料同时或相继地占据半导体结构中至少二个封闭的内部容积,其中该至少二个封闭的内部容积位于半导体结构的不同层;使占据至少二个封闭的内部容积之至少一种牺牲材料同时或相继地分解成一种或多种气态的分解产物;及该一种或多种气态的分解产物的至少一种藉由通过至少一层邻近内部容积的固体层而移除。31.如申请专利范围第30项之方法,其中该至少一种牺牲材料同时地分解成一种或多种气态的分解产物,而该分解产物可藉由通过至少一层邻近内部容积的固体层而移除。32.如申请专利范围第31项之方法,其中该至少一种牺牲材料系选自一种或多种原冰片烯聚合物类、聚碳酸酯聚合物类、聚酯聚合物类、聚醚聚合物类、甲基丙烯酸酯聚合物类、丙烯酸酯聚合物类或其混合物。33.如申请专利范围第32项之方法,其中该至少一种牺牲材料系选自一种或多种原冰片烯聚合物。34.如申请专利范围第33项之方法,其中该原冰片烯聚合物至少包含由一般式表示之重复单位:其中R1及R4各自独立地为氢或线性或分枝的(C1至C20)烷基;R2及R3各自独立地为氢、线性或分枝的(C1至C20)烷基或下列基团:R9各自独立地为氢、甲基或乙基;R10、R11及R12各自独立地为线性或分枝的(C1至C20)烷基、线性或分枝的(C1至C20)烷氧基、线性或分枝的(C1至C20)烷基羰氧基、及经取代或未经取代的(C6至C20)芳氧基;m为数目从0至4;及n为数目从0至5;及取代基R2及R3至少一种系选自由式Ia表示之矽基。35.如申请专利范围第34项之方法,其中在上述的式I中,m为0或1,其各别地由结构Ib及Ic所表示:其中R1至R4如先前所定义、R2及R3至少一种为由Ia表示之矽基取代基。36.如申请专利范围第34项之方法,其中R1及R4可一起为接合的环之二个碳原子而包含下列结构的重复单位:其中B为亚甲基、q为数目从2至6、R2及R3如上述所定义。37.如申请专利范围第34项之方法,其中该原冰片烯聚合物进一步至少包含经烃基取代的多环重复单位,其选自由下列式II表示的单位:其中R5、R6、R7及R8各自独立地为氢、线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基或乙烯基;任何R5及R6或R7及R8可结合在一起以形成(C1至C10)亚烷基;R5及R8可为接合的环之二个碳原子,而该环可为含4至12个碳原子之饱和及不饱合环状基或含6至17个碳原子的芳香环;及p为0、1、2、3或4。38.如申请专利范围第33项之方法,其中该原冰片烯聚合物至少包含由下列式III表示之重复单位:其中R9至R12各自独立地为一种极性取代基,其选自下列基团:-(A)n-C(O)OR"、-(A)n-OR"、(A)n-OC(O)R"、-(A)n-OC(O)OR"、-(A)n-C(O)R"、-(A)n-OC(O)C(O)OR"、-(A)n-O-A'-C(O)OR"、-(A)n-OC(O)-A'-C(O)OR"、-(A)n-C(O)O-A'-C(O)OR"、-(A)n-C(O)-A'-OR"、-(A)n-C(O)O-A'-OC(O)OR"、-(A)n-C(O)O-A'-O-A'-C(O)OR"、-(A)n-C(O)O-A'-OC(O)C(O)OR"、-(A)n-C(R")2CH(R")(C(O)OR")及-(A)n-C(R")2CH(C(O)OR")2;p为0、1、2、3、4或5;A及A'部分各自独立地为二价的架桥基或间隔基,其选自二价的烃基、二价的环状烃基、二价的含氧基及二价的环状醚类及环状二醚类;及n为整数0或1。39.如申请专利范围第33项之方法,其中该原冰片烯聚合物至少包含一些共聚物,其至少包含一种由式I及II、式I及III、式II及III、或式I、II及III表示之重复单位的组合,其中式I为:其中R1及R4各自独立地为氢或线性或分枝的(C1至C20)烷基;R2及R3各自独立地为氢、线性或分枝的(C1至C20)烷基或下列基团;R9各自独立地为氢、甲基或乙基;R10、R11及R12各自独立地为线性或分枝的(C1至C20)烷基、线性或分枝的(C1至C20)烷氧基、线性或分枝的(C1至C20)烷基羰氧基、及经取代或未经取代的(C6至C20)芳氧基;m为数目从0至4;及n为数目从0至5;及R2及R3取代基至少一种系选自由式Ia表示之矽基;式II为其中R5、R6、R7及R8各自独立地为氢、线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基或乙烯基;任何R5及R6或R7及R8可一起形成(C1至C10)亚烷基;R5及R8可一起为接合的环之二个碳原子,该环可为含4至12个碳原子之饱和及不饱合环状基或含6至17个碳原子之芳香环;及p为1、2、3或4;及式III为其中R9至R12各自独立地为一种极性取代基,其选自:-(A)n-C(O)OR"、-(A)n-OR"、-(A)n-OC(O)R"、-(A)n-OC(O)OR"、-(A)n-C(O)R"、-(A)n-OC(O)C(O)OR"、-(A)n-O-A'-C(O)OR"、-(A)n-OC(O)-A'-C(O)OR"、-(A)n-C(O)O-A'-C(O)OR"、-(A)n-C(O)-A'-OR"、-(A)n-C(O)O-A'-OC(O)OR"、-(A)n-C(O)O-A'-O-A'-C(O)OR"、-(A)n -C(O)O-A'-OC(O)C(O)OR"、-(A)n -C(R")2CH(R")(C(O)OR")及-(A)n-C(R")2CH(C(O)OR")2;p为0、1、2、3、4或5;A及A'部分各自独立地为一种二价的架桥基或间隔基,其可选自二价的烃基、二价的环状烃基、二价的含氧基及二价的环状醚类及环状二醚类;及n为整数0或1。40.如申请专利范围第30项之方法,其中该至少一种牺牲材料系选自一种或多种原冰片烯聚合物。41.如申请专利范围第30项之方法,其中该至少一种牺牲材料系选自一种或多种聚碳酸酯聚合物类、聚酯聚合物类、聚醚聚合物类、甲基丙烯酸酯聚合物类、丙烯酸聚合物类或其混合物。42.如申请专利范围第41项之方法,其中该牺牲材料为一种聚碳酸酯聚合物,其至少包含由一般式表示之重复单位:其中R为线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基,及n等于2至100,000。43.如申请专利范围第42项之方法,其中n等于2至10,000。44.如申请专利范围第42项之方法,其中该牺牲材料系选自聚碳酸亚乙基酯、聚碳酸亚丙基酯或其混合物。45.如申请专利范围第41项之方法,其中该牺牲材料为一种聚酯聚合物,其至少包含由一般式表示之重复单位:其中R为线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基;x为从1至20的整数;及n等于2至100,000。46.如申请专利范围第45项之方法,其中n等于2至10,000。47.如申请专利范围第45项之方法,其中x为从1至10的整数。48.如申请专利范围第41项之方法,其中该牺牲材料为一种聚醚聚合物,其至少包含由一般式表示之重复单位:其中R20及R21各自独立地为线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基;及n等于2至100,000。49.如申请专利范围第48项之方法,其中n等于2至10,000。50.如申请专利范围第41项之方法,其中该牺牲材料系选自一种聚甲基丙烯酸甲酯聚合物、一种丙烯酸酯聚合物或其混合物,其中该呈现的聚合物每个之分子量1,000至1,000,000。51.一种在半导体结构中形成一个或多个空气间隙之方法,其步骤包括:(A)在基材的一边形成有图案的第一牺牲材料层,而与欲在半导体结构中形成之一个或多个间隙图案相符合;(B)在与第一牺牲材料接壤的区域内之基材上沈积第二种材料;(C)在与第一牺牲材料接壤的区域中形成第一罩面材料层而覆盖在有图案的第一牺牲材料层及第二种材料上;(D)使第一牺牲材料分解成一种或多种气态的分解产物;(E)该一种或多种气态的分解产物之至少一种可藉由通过第一罩面层而移除,所以在半导体结构内形成一个或多个空气间隙;(F)在第一罩面层上形成有图案的第二牺牲材料层,而与欲在半导体结构中形成的一个或多个间隙图案相符合;(G)在与第二牺牲材料接壤的区域内之第一罩面层基材上沈积第三种材料;(H)在与第二牺牲材料接壤的区域中形成第二罩面材料层,而覆盖在有图案的第二牺牲材料层及第三种材料上;(I)使第二牺牲材料分解成一种或多种气态的分解产物;及(J)该一种或多种气态的分解产物的至少一种可藉由通过罩面层而移除,所以在半导体结构内形成一个或多个空气间隙;其中该第一及第二牺牲材料各自独立地选自一种或多种聚碳酸酯聚合物类、聚酯聚合物类、聚醚聚合物类、甲基丙烯酸酯聚合物类、丙烯酸酯聚合物类或其混合物。52.一种在半导体结构中形成一个或多个空气间隙之方法,其步骤包括:(A)在基材的一边形成有图案的第一牺牲材料层,而与欲在半导体结构中形成的一个或多个间隙图案相符合;(B)在与第一牺牲材料接壤的区域内之基材上沈积第二种材料;(C-1)在与第一牺牲材料接壤的区域中形成第一罩面材料层,而覆盖在有图案的第一牺牲材料层及第二种材料上;(C-2)在第一罩面层上形成有图案的第二牺牲材料层,而与欲在半导体结构中形成的一个或多个间隙图案相符合;(C-3)在与第二牺牲材料接壤的区域内之第一罩面层上沈积第三种材料;(C-4)在与第二牺牲材料接壤的区域中形成第二罩面材料层,而覆盖在有图案的第二牺牲材料层及第三种材料中;(D)使第一及第二牺牲材料分解成一种或多种气态的分解产物;及(E)该一种或多种气态的分解产物的至少一种可藉由通过罩面层而移除,所以在半导体结构内形成一个或多个空气间隙;其中第一及第二牺牲材料各自独立地选自一种或多种原冰片烯聚合物类、聚碳酸酯聚合物类、聚酯聚合物类、聚醚聚合物类、甲基丙烯酸酯聚合物类、丙烯酸酯聚合物类或其混合物。53.一种在半导体结构中形成一个或多个空气间隙之方法,其步骤包括:使用一种牺牲材料在半导体结构中占据至少一个第一封闭的内部容积,及使用一种导电材料在半导体结构中占据至少一个第二封闭的内部容积,在该至少一个第一封闭的内部容积与该至少一个第二封闭的内部容积间定出至少一个间隙;在该牺牲材料及该导电材料上形成一罩面材料层,其中该罩面材料延伸进入至少一个间隙;使该牺牲材料分解成一种或多种气态的分解产物;及该一种或多种气态的分解产物的至少一种可藉由通过第一罩面层而移除,所以在半导体结构内形成一个或多个空气间隙,因此产生罩面的导电结构。54.如申请专利范围第53项之方法,其中该罩面材料完全地填满在该牺牲材料及该导电材料间的一个或多个间隙。55.如申请专利范围第53项之方法,其中该牺牲材料系选自一种或多种原冰片烯聚合物类、聚碳酸酯聚合物类、聚酯聚合物类、聚醚聚合物类、甲基丙烯酸酯聚合物类、丙烯酸酯聚合物类或其混合物。56.如申请专利范围第55项之方法,其中该牺牲材料系选自一种或多种原冰片烯聚合物。57.如申请专利范围第53项之方法,其中至少一个第一封闭的内部容积之高度超过至少一个第二封闭的内部容积之高度。58.如申请专利范围第53项之方法,其中至少一个第二封闭的内部容积之高度超过至少一个第一封闭的内部容积之高度。59.如申请专利范围第53项之方法,其中该牺牲材料为一种聚碳酸酯聚合物,其至少包含由一般式表示之重复单位:其中R为线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基;及n等于2至100,000。60.如申请专利范围第59项之方法,其中n等于2至10,000。61.如申请专利范围第59项之方法,其中该牺牲材料系选自聚碳酸亚乙基酯、聚碳酸亚丙基酯或其混合物。62.如申请专利范围第53项之方法,其中该牺牲材料为一种聚酯聚合物,其至少包含由一般式表示之重复单位:其中R为线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基;x为从1至20的整数;及n等于2至100,000。63.如申请专利范围第62项之方法,其中n等于2至10,000。64.如申请专利范围第62项之方法,其中x为从1至10的整数。65.如申请专利范围第53项之方法,其中该牺牲材料为一种聚醚聚合物,其至少包含由一般式表示之重复单位:其中R20及R21各自独立地为线性及分枝的(C1至C20)烷基、经烃基取代及未经取代的(C5至C12)环烷基、经烃基取代及未经取代的(C6至C40)芳基、经烃基取代及未经取代的(C7至C15)芳烷基、(C3至C20)炔基、线性及分枝的(C3至C20)烯烃基;及n等于2至100,000。66.如申请专利范围第65项之方法,其中n等于2至10,000。67.如申请专利范围第53项之方法,其中该牺牲材料系选自一种聚甲基丙烯酸甲酯、一种丙烯酸酯聚合物或其混合物,其中该呈现的聚合物每个之分子量为1,000至1,000,000。68.如申请专利范围第67项之方法,其中该聚甲基丙烯酸甲酯及/或丙烯酸酯聚合物的分子量为100,000至250,000。69.一种半导体结构,其至少包括:一基材;一牺牲材料,其支持在基材上;一导电材料,其支持在基材上同时与牺牲材料间隔开;一罩面层,其覆盖在牺牲材料及导电材料上同时延伸进入一个或多个在牺牲材料及导电材料间的空间。70.如申请专利范围第69项之半导体结构,其中该牺牲材料系选自一种或多种原冰片烯聚合物类、聚碳酸酯聚合物类、聚酯聚合物类、聚醚聚合物类、甲基丙烯酸酯聚合物类、丙烯酸酯聚合物类或其混合物。71.如申请专利范围第69项之半导体结构,其中该牺牲材料的高度超过该导电材料的高度。72.如申请专利范围第69项之半导体结构,其中该导电材料的高度超过该牺牲材料的高度。73.一种半导体结构,其包括:一基材;一牺牲材料,其支持在基材上;一导电材料,其支持在基材上同时与牺牲材料间隔开;一罩面层,其覆盖该牺牲材料及该导电材料同时延伸进入一个或多个在牺牲材料及导电材料间的空间;其中该牺牲材料可藉由分解通过罩面层而移除。74.如申请专利范围第73项之半导体结构,其中该牺牲材料系选自一种或多种原冰片烯聚合物类、聚碳酸酯聚合物类、聚酯聚合物类、聚醚聚合物类、甲基丙烯酸酯聚合物类、丙烯酸酯聚合物类或其混合物。75.如申请专利范围第73项之半导体结构,其中该罩面层的罩面材料完全地填满一个或多个在牺牲材料及导电材料间的间隙。76.如申请专利范围第73项之半导体结构,其中该牺牲材料的高度超过该导电材料的高度。77.如申请专利范围第73项之半导体结构,其中该导电材料的高度超过该牺牲材料的高度。图式简单说明:第1A-1D图为半导体结构之部分剖面图,其阐明根据本发明的一个观点之方法的数个步骤。第2A-2F图为半导体结构之部分剖面图,其阐明根据本发明的另一个观点之方法的数个步骤。第3A-3F图为半导体结构之部分剖面图,其阐明根据本发明进一步观点之方法的数个步骤。第4A-4H图为半导体结构之部分剖面图,其阐明根据本发明之方法的特定实例之数个步骤。第5A-5J图为半导体结构之部分剖面图,其阐明根据本发明之方法的另一个特定实例之数个步骤。第6A-6I图为半导体结构之部分剖面图,其阐明根据本发明的另一个观点之方法的数个步骤。第7A-7H图为半导体结构之部分剖面图,其阐明根据本发明的另一个观点之方法的数个步骤。第8A-8G图为半导体结构之部分剖面图,其阐明根据本发明的另一个观点之方法的数个步骤。第9A-9L图为半导体结构之部分剖面图,其阐明根据本发明之方法的另一个特定实例之数个步骤。第10A及10B图描述出二种根据本发明之典型的多层空气间隙结构。 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