| 主权项 |
1.一种静电放电保护元件,包括:一通道层,设置于一基板上;一源极掺杂区域与一汲极掺杂区域,个别设置于该通道层两侧之该基板上且与该通道层电性连接;一闸绝缘层,设置于该通道层上;一闸极端,设置于该闸绝缘层上;一内介电层,设置于该基板上并覆盖该闸极端、该源极掺杂区域与该汲极掺杂区域;一源极金属,设置于该内介电层上,并藉由该内介电层中之一源极接触窗电性连接至该源极掺杂区域;以及一汲极金属,设置于该内介电层上,并藉由该内介电层中之一汲极接触窗电性连接至该源极掺杂区域;其中该汲极金属系部分重叠于该闸极端的上方。2.如申请专利范围第1项所述的静电放电保护元件,其中该通道层与该源极掺杂区及该汲极掺杂区为一多晶矽层。3.一种静电放电保护元件的制造方法,包括下列步骤:于一基板上形成一岛状多晶矽层;于该岛状多晶矽层上形成一闸绝缘层;于该闸绝缘层上形成一闸极端;于该闸极端两侧之该岛状多晶矽层中形成一源极掺杂区域与一汲极掺杂区域;于该基板上形成一内介电层,以覆盖该闸极端、该源极掺杂区域与该汲极掺杂区域;于该内介电层中形成一源极接触窗开口与一汲极接触窗开口,并于该源极接触窗开口与该汲极接触窗开口底部个别暴露出该源极掺杂区域表面与该汲极掺杂区域表面;于该内介电层上与该源极接触窗开口中形成一源极金属,并同时于该内介电层上与该汲极接触窗开口中形成一汲极金属;其中该汲极金属系部分重叠于该闸极端的上方。4.如申请专利范围第3项所述的静电放电保护元件的制造方法,其中于该闸极端两侧之该导体层中形成该源极掺杂区域与该汲极掺杂区域的方法,包括以该闸极端为罩幕,对该岛状多晶矽层进行掺质的掺杂。5.如申请专利范围第3项所述的静电放电保护元件的制造方法,其中于该内介电层上与该源极接触窗开口中形成该源极金属,并同时于该内介电层上与该汲极接触窗开口中形成该汲极金属的方法,包括:于该源极接触窗、该汲极接触窗中与该内介电层上形成一金属层;以及图案化该金属层以同时形成该源极金属以及该汲极金属。图式简单说明:第1图所绘示为习知一种顶闸式低温多晶矽之薄膜电晶体所构成之静电放电保护元件的上视图。第2图所绘示为习知使用第1图之静电放电保护元件所构成的一种静电放电防护电路的示意图。第3图所绘示为依照本发明一较佳实施例的一种静电放电保护元件之上视图。第4图所绘示为第3图中沿着A-A切线之剖面示意图。 |
