在芯片电路的不同区域使用不同厚度的硅化物的工艺

摘要

本发明属于集成电路制造工艺技术领域。具体为一种在芯片电路的不同区域使用不同厚度的硅化物的工艺。为了优化电路不同区域的器件性能，在要求或只能使用大电阻的硅化物的区域，生长较薄的硅化物；而在要求或可以使用小电阻的硅化物的区域，生长较厚的硅化物。为此需要用到两块掩膜版，用介质膜在生长某一种厚度硅化物的同时覆盖住需要保护的另外的生长硅化物的区域，有不同的工艺可以实现这一要求，根据需要加以选择。

主权项

1.一种形成芯片电路中硅化物的工艺，其特征在于电路中的要求电阻小的晶体管或电阻等用到硅化物的有源/无源器件的硅化物厚度与电路中要求电阻大的晶体管或电阻等有源/无源器件的硅化物厚度之比大于1，小于10，其中，要求电阻小的区域的硅化物厚度为10-150nm，要求电阻大的区域的硅化物厚度为8-100nm。