| 发明名称 | 无局部组态存储器但具平行组态总线的可组态逻辑组件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及无局部组态存储器但具平行组态总线的可组态逻辑组件。一种不含有一组态存储器的可组态逻辑组件(30)。该可组态逻辑组件的组态由施加电压而定义。该组态电压最好是在一外部组态存储器(2)中产生。在一较佳实施例中，一存储器芯片(20)(举例而言，电可擦可编程只读存储器(EEPROM))与本发明的不具有一组态存储器(30)的逻辑组件面对面地装置。一中间的结构化焊接层(40)使多个电连接有效。 | ||
| 申请公布号 | CN1641650A | 申请公布日期 | 2005.07.20 |
| 申请号 | CN200510004157.2 | 申请日期 | 2005.01.12 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | M·舍普勒;W·格鲁伯 |
| 分类号 | G06F17/50;H03K19/177 | 主分类号 | G06F17/50 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1.一种不具有组态存储器的可组态逻辑组件，该组件的组态借助施加的组态电压来定义。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||