发明名称 半导体晶圆及半导体晶圆制造方法
摘要 本发明系提供一种半导体晶圆及半导体晶圆制造方法,其系可维持ID(识别)标记的高度视认性,且能够达成半导体装置的制造步骤之一贯化生产管理者。其系具备:相对之第一及第二主面12a、12b;分别设置于第一及第二主面12a、12b的外周部之第一及第二斜角部13a、13b;形成于第一斜角部13a的一部分之第一凹洞16;及附于第一凹洞的底面,由突状的第一点所构成之第一ID标记17。
申请公布号 TW200425256 申请公布日期 2004.11.16
申请号 TW092129014 申请日期 2003.10.20
申请人 东芝股份有限公司 发明人 岩濑政雄;滩原壮一
分类号 H01L21/02;B23K26/00 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本