| 主权项 |
1.一种辐射线可硬化的组成物,包含相对于涂层组成物的总量(A)10-90重量%的氨基甲酸酯丙烯酸酯/(甲基)丙烯酸酯寡聚物,(B)10-70重量%的可聚合乙烯基单体,其充当反应性稀释剂,及(C)0.1-20重量%的至少二种自由基光起始剂的光起始剂套组,该光起始剂套组在甲醇中具有整体吸收光谱,其为各别光起始剂吸收光谱之总和,其中该整体吸收光谱在介于280nm(1)与320nm(2)范围间的莫耳消光系数之最小値(min)至少为525 lmol-1cm-1,或其中该整体吸收光谱在介于280nm(1)与320nm(2)范围间之平均値(av)至少为980 lmol-1cm-1。2.如申请专利范围第1项之辐射线可硬化的组成物,其中光起始剂(Ci)在甲醇中的整体吸收光谱,在介于280nm(1)与320nm(2范围间,之最小値(min)至少为600 lmol-1cm-1或平均値(av)至少为1200 lmol-1cm-1。3.如申请专利范围第1或2项之辐射线可硬化的组成物,其中光起始剂套组的整体吸收光谱在介于280及320nm之间的范围显示一吸收峰或肩状区。4.一种辐射线可硬化的组成物,包含相对于涂层组成物的总量(A)10-90重量%的氨基甲酸酯丙烯酸酯/(甲基)丙烯酸酯寡聚物,(B)10-70重量%的可聚合乙烯基单体,其充当反应性稀释剂,及(C)0.1-20重量%的至少三种自由基光起始剂,其中(i)至少一种的光起始剂在乙中的吸收光谱,在介于240及360nm之间的范围,二个最大吸收之间的差异max(1ij)=(max)1j-(max)1i,至少为15nm,及其中(ii)考量至少二种的光起始剂(1及2),在介于280与320nm之间的范围内,介于光起始剂1在乙中的吸收光谱之最大吸收(max)1与光起始剂2在乙中的吸收光谱之最大吸收(max)2之间的差异max(12)=(max)2 - (max)1至少为5nm。5.如申请专利范围第1或4项之辐射线可硬化的组成物,其中至少一种的光起始剂含有磷、硫或氮原子。6.如申请专利范围第1或4项之辐射线可硬化的组成物,其中光起始剂套组包含至少一种组合物,该组合物包括含有磷原子之光起始剂及含有硫原子之光起始剂。7.一种用于光学玻璃纤维的幅射线可硬化的涂层组成物,包括相对于涂层组成物的总量,(A)10-90重量%的氨基甲酸酯丙烯酸酯/(甲基)丙烯酸酯寡聚物,(B)10-70重量%的可聚合乙烯基单体,其充当反应性稀释剂,及(C)0.1-20重量%的至少四种不同之光起始剂(C1)、(C2)、(C3)、及(C4)。8.如申请专利范围第7项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中化合物(C1)、(C2)、(C3)及(C4)彼各自的存在量介于0.03与10.0wt之间,相对于涂层组成物的总量。9.如申请专利范围第7项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中化合物(Ci)为自由基光起始剂。10.如申请专利范围第1或7项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中至少二种的化合物(Ci)为均裂自由基光起始剂。11.如申请专利范围第1或7项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中至少二种的化合物(Ci)为-断裂均裂自由基光起始剂。12.如申请专利范围第11项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中(C)包含至少一种含有磷原子的光起始剂与含有硫原子之光起始剂之组合物。13.如申请专利范围第12项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中至少一种的化合物(Ci)为寡聚型。14.如申请专利范围第1项或4项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中化合物(C)包含五种不同之-断裂均裂自由基光起始剂(C1)至(C5),被各自的存在量介于0.05与4.0wt%之间,相对于涂层组成物的总量。15.如申请专利范围第14项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中每一光起始剂(Ci)的存在量介于0.1及2.5wt%之间,相对于涂层组成物的总量。16.如申请专利范围第1或4项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中(A)为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物。17.如申请专利范围第1或4项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中此涂层当硬化后为内一级涂层。18.如申请专利范围第17项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中当内一级涂层组成物被施用作为一具有厚度之毛细管膜,该厚度被选择以满足兰勃-比尔定律,且使用100W中压汞灯硬化,该内一级涂层组成物暴露于4.4mJ/cm2的剂量之后,具有已反应的双键不饱和百分比至少为54%。19.如申请专利范围第1或4项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中此涂层当硬化后为外一级涂层。20.如申请专利范围第19项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中当外一级涂层组成物被施用作为一具有厚度之毛细管膜,该厚度被选择以满足兰勃-比尔定律,且使用100W中压汞灯硬化,该外一级涂层组成物暴露于4.4mJ/cm2的剂量之后,具有已反应的双键不饱和百分比至少为56%。21.如申请专利范围第1或4项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中此涂层硬化后为基质或捆卷材料。22.如申请专利范围第1或4项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中此组成物为彩色的。23.一种源自如申请专利范围第1或4项之组成物的硬化涂层,其中此组成物系使用灯硬化,而此灯具有至少6%的放射系介于280与320nm之间的范围。24.一种经涂覆的光纤,包括玻璃光纤,该玻璃光纤具有单一的保护涂层或内一级涂层与施用在其上的外一级涂层之组合,且视需要地接着将彩色涂层施用在其上,其中此内一级涂层或至少一部分的单一涂层系由如申请专利范围第1或4项之辐射线可硬化的组成物所制备,当彼被施用作为一具有厚度之毛细管膜,该厚度被选择以满足兰勃-比尔(Lambert-Beer)定律,且以100W中压汞灯作硬化,彼被暴露于4.4mJ/cm2的剂量之后,具有已反应的双键不饱和百分比至少为54%,或其中外一级涂层系由如申请专利范围第1或4项之辐射线可硬化的组成物所制备,当彼被施用作为一具有厚度之毛细管膜,该厚度被选择以满足兰勃-比尔(Lambert-Beer)定律,且以100W中压汞灯作硬化,彼被暴露于4.4mJ/cm2的剂量之后,具有已反应的双键不饱和百分比至少为56%。25.如申请专利范围第24项之经涂覆的光纤,其中至少一种的内一级涂层或单一涂层系由辐射线可硬化的组成物所制备,当彼被施用作为毛细管膜,且以100W中压汞灯作硬化,彼被暴露于4.4mJ/cm2的剂量之后具有已反应的丙烯酸酯不饱和百分比至少为56%。26.如申请专利范围第24或25项之经涂覆的光纤,其中当至少一种的涂层组成物被施用且硬化成为该毛细管膜,彼暴露于4.4mJ/cm2的剂量之后,已反应的双键不饱和百分比达到至少60%。27.如申请专利范围第26项之经涂覆的光纤,其中当至少一种的涂层组成物被施用且硬化成为该毛细管膜,彼被暴露于4.4mJ/cm2的剂量之后,已反应的双键不饱和百分比达到至少66%。28.如申请专利范围第24或25项之经涂覆的光纤,其中当内一级涂层组成物或至少一部分的单一涂层组成物被施用且硬化成为该毛细管膜,彼被暴露于2.9mJ/cm2的剂量之后,已反应的双键不饱和百分比达到至少26%,或其中当外一级涂层组成物被施用且硬化成为该毛细管膜,彼被暴露于2.9mJ/cm2的剂量之后已反应的双键不饱和百分比达到至少49%。29.如申请专利范围第24或25项之经涂覆的光纤,其中当内一级涂层组成物或至少一部分的单一涂层组成物被施用且硬化成为该毛细管膜,彼已反应的双键不饱和百分比达到至少30%,或其中当外一级涂层组成物被施用且硬化成为该毛细管膜,彼被暴露于2.9mJ/cm2的剂量之后,已反应的双键不饱和百分比达到至少52%。30.如申请专利范围第29项之经涂覆的光纤,其中当内一级涂层组成物或至少一部分的单一涂层组成物被施用且硬化成为该毛细管膜,彼被暴露于2.9mJ/cm2的剂量之后,已反应的双键不饱和百分比达到至少40%,或其中当外一级涂层组成物被施用且硬化成为该毛细管膜,彼被暴露于2.9mJ/cm2的剂量之后,已反应的双键不饱和百分比达到至少54%。31.如申请专利范围第24或25项之经涂覆的光纤,其中毛细管膜之厚度介于0.01与150微米之间。32.如申请专利范围第24或25项之经涂覆的光纤,其中毛细管膜之厚度介于10与100微米之间。33.如申请专利范围第24或25项之经涂覆的光纤,其中毛细管膜之厚度介于40与50微米之间。34.如申请专利范围第24项之经涂覆的光纤,其中光起始剂为自由基类型光起始剂。35.如申请专利范围第24或25项之经涂覆的光纤,其中当由制备硬化的内一级涂层,该辐射线可硬化的组成物在玻璃板上施用成为500微米厚的层,且于0.2m3/min的氮(N2)及在1.0J/cm2剂量下,被硬化,且当接着在其上施用且硬化外一级涂层,该硬化的内一级涂层于低强度萤光之下老化8周之后,显示色彩改变E少于30。36.如申请专利范围第35项之经涂覆的光纤,其中硬化的内一级涂层于低强度萤光之下老化8周之后,显示色彩改变E在少于20。37.如申请专利范围第24或25项之经涂覆的光纤,其中当由辐射线可硬化的组成物制备外一级涂层,该辐射可硬化的组成物在玻璃板上施用成为500微米厚的层,且于0.2m3/min的氮(N2)及在1.0J/cm2剂量下被硬化,该外一级涂层于低强度萤光之下老化8周之后,显示色彩改变E少于20。38.如申请专利范围第37项之经涂覆的光纤,其中外一级涂层于125℃之温度老化8周之后,显示色彩改变E少于75。39.如申请专利范围第37项之经涂覆的光纤,其中硬化的外一级涂层于低强度萤光之下老化8周之后,显示色彩改变E少于10。40.如申请专利范围第1.4或7项之辐射线可硬化的涂层组成物,其中三或多种自由基光起始剂的组合会增加该组成物的固化速度,每一光起始剂的存在量介于0.3及1.5重量%之间,相对于涂层组成物的总量。图式简单说明:图1显示消光系数对波长之绘图。图2显示%已反应的丙烯酸酯不饱和对暴露时间之绘图。图3显示陈述基线技术。 |
