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1.一种自含有X(L)4,Sn(L)4及Ti(L)4前驱物的无溶剂液 体混合物沉积含有XSnTi氧化物的薄膜之方法,其中X =Zr或Hf,当XSnTi氧化物的X=Zr时,Zr:Sn:Ti的莫耳比=0.1-0. 3:0.1-0.3:0.4-0.8,当XSnTi氧化物的X=Hf时, Hf:Sn:Ti的莫耳 比=0.05-0.30:0.01-0.20:0.50-0.94,该方法包含: (a)提供于一无溶剂液体混合物中的X(L)4,Sn(L)4及Ti(L )4前驱物,其中L是选自烷类、烷氧化物、卤化物、 氢化物、醯胺化合物、醯亚胺化合物、叠氮化合 物、环戊二烯化合物、羰基化合物、羧酸酯化合 物、硫醇化合物、硝酸盐类化合物、磷酸盬类化 合物,金属-二酮酯化合物、金属-酮亚胺酯化 合物、金属-二亚胺酯化合物,及其经氟及其他 取代的类似物及其混合物组成的族群; (b)以一无溶剂液体混合物方式将该X(L)4,Sn(L)4及Ti(L )4前驱物并同一含氧反应物,导入一反应区且紧邻 于一欲被沉积薄膜于上的基材; (c)在200-500℃的温度及0.1-5托的压力下沉积一介电 常数大于20的XSnTi氧化物薄膜在该基材上; (d)于一选自N2,Ar,He,O2,O3,N2O,NO,H2O,H2O2及其混合物组 成的族群的退火气体中,在范围为介于200-500℃的 一温度退火该薄膜。2.如申请专利范围第1项的方 法,其中该无溶剂液体混合物是被导入该反应区, 且在50-200℃的温度受到蒸发。3.如申请专利范围 第2项的方法,其中该温度是80-120℃。4.如申请专利 范围第1项的方法,其中该薄膜的沉积率范围是介 于每分钟1到300埃(angstoms)。5.如申请专利范围第1 项的方法,其中该XSnTi氧化物以一选自热、紫外线 辐射、电浆及其组合所组成的族群之能量源而受 到退火。6.一种自X(L)4,Sn(L)4及Ti(L)4的无溶剂液体 混合物沉积含有XSnTi氧化物的薄膜之方法,其中L=OR 或NR2,R为H或C1-C6烷基或具取代基烷基,X=Zr或Hf,当 XSnTi氧化物的X=Zr时,Zr:Sn:Ti的莫耳比=0.1-0.3:0.1-0.3:0. 4-0.8,当XSnTi氧化物的X=Hf时, Hf:Sn:Ti的莫耳比=0.05-0. 30:0.01-0.20:0.50-0.94,该方法包含: (a)以一无溶剂液体混合物方式提供X(L)4,Sn(L)4及Ti(L )4; (b)以一无溶剂液体混合物将X(L)4,Sn(L)4及Ti(L)4并同 一含氧反应物,导入一反应区且紧邻于一欲被沉积 薄膜于其上的基材; (c)在200-500℃的温度及0.1-5托的压力下沉积一具有 大于20的介电常数的XSnTi氧化物薄膜在该基材上; (d)于一选自N2,Ar,He,O2,O3,N2O,NO,H2O,H2O2及其混合物组 成的族群的退火气体中,在范围介于200-500℃的一 温度退火该薄膜。7.如申请专利范围第6项的方法, 其中该含氧反应物为选自氧、臭氧、氧化亚氮、 一氧化氮、二氧化氮、水、过氧化氢、空气及其 混合物组成的族群。8.如申请专利范围第6项的方 法,其中该XSnTi氧化物以一选自由热、紫外线辐射 、电浆及其组合组成的族群之能量源而受到退火 。9.如申请专利范围第6项的方法,其中该退火是进 行一范围介于1-60分钟的时间。10.如申请专利范围 第9项的方法,其中该退火是进行一范围介于5-30分 钟的时间。11.如申请专利范围第9项的方法,其中 该退火是在范围介于350-450℃的温度进行。12.如申 请专利范围第6项的方法,其中该XSnTi氧化物的薄膜 是被作为一动态随机存取记忆体装置中的储存电 容器而被沉积。图式简单说明: 图1是本发明之Zr-Sn-Ti-Ox(钛酸锆锡或ZTT)薄膜依照 实施例4退火前后之IV(电流--电压)图。 |
