| 主权项 |
1.一种制备具有1至4个碳原子之饱和羧酸之方法,该方法系在反应温度100℃至400℃及压力1.2105帕斯卡至51105帕斯卡、有饱和及/或不饱和C4-烃类、含氧气体、水蒸气及至少一种催化剂存在之情况下,实施气-相氧化作用,气体离开反应器时,部分在反应气体流路内加以再循环,其中反应器气体流路系经适当构形,俾气-相氧化时所形成之部分有机酸得从离开反应器之气体中取出,离开反应器之气体中再循环部分之酸含量为0.01至6.0%体积比。2.如申请专利范围第1项之方法,其中酸含量减至0.2至2%体积比。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中60至99.8%重量比之反应器外流气体之酸含量系减至所谓残留酸含量,随后此部分反应器外流气体系再循环至反应器。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在气体离开反应器之后,该反应器外流气体之酸含量立即减至上述残留含量,且经如此处理之反应器外流气体全部或部分再循环至反应器。5.如申请专利范围第1项之方法,其中所用之C4-烃类系正-丁烷或1-丁烯、反-2-丁烯及顺-2-丁烯等丁烯异构物或包括高比例该等化合物之混合物。6.如申请专利范围第5项之方法,其中所用C4烃类系来自石油加工之进料混合物,"C4-部分",主要为丁二烯及异丁烯及"萃余物1",主要为异-丁烯及正-丁烯及"萃余物2",主要为丁烷、1-丁烯及2-丁烯或包括该等烃类之混合物。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其中系将占进给至反应器之反应器进入气体1至35%体积比之纯氧进给至反应器作为含氧气体。8.如申请专利范围第1或2项之方法,其中C4-烃类之体积比,在进给至反应器入口处之气体混合物中,丁烯单独或混以其他C4-烃类为1至5%体积比及/或丁烷单独或混以其他C4-烃类为5至80%体积比。9.如申请专利范围第1或2项之方法,其中所用催化剂系被覆催化剂,该被覆催化剂包括一惰性非多孔性支撑体及一催化活性混合氧化物组成物,该组成物包括:a)一种或更多种氧化物,氧化物系选自:由二氧化钛、二氧化锆、二氧化锡及三氧化二铝组成之族群,及b)0.1至1.5%重量比,以成分a)之重量及每平分公尺/公克成分a)比表面积为基准之五氧化二钒,涂敷在支撑体之外表面上。10.如申请专利范围第1或2项之方法,其中再循环气体之流量系进给之新起始原料流量之1至100倍。图式简单说明:图1所示系一既有技术之工厂。此处反应器进入气体经由进给管线(1)抵达反应器(2)。部分离开反应器之气体经由管件(5)进入分离设备(6)(例如:具有下游相分离器之冷却器),藉部分冷凝作用将酸分离出来,并经由管线(7)排放出去,其余气体则输送至焚化炉(8)。反应器外流气体之其他部分,未将酸分离出来,系藉助于气体输送装置(4)(例如:鼓风机),经由管件(3)再循环至反应器入口处。图2所示系一工厂,其中酸系在回流流动体中被分离出来。此处反应器进入气体经由管线(1)抵达反应器(2)。大部分离开反应器之气体自该反应器经由管件(3)进入分离设备(6)(例如:具有下游相分离器之冷却器),藉部分冷凝作用大部分酸分离出来,并经由管线(7)排放出去。藉助于气体输送装置(4)(可能系鼓风机或压缩机),挥发性之其余部分则再循环至反应器入口处。因压力调节所得之过多气体则经由管件(5)抵达焚化炉(8)。图3所示系一工厂,其中在气体流动体未经分开之前,在反应器出口处,酸即被直接分离出来。此处反应器进入气体经由进给管线(1)抵达反应器(2)。反应器外流气体自该反感器经由管线(3)进入分离设备(6)(例如:具有下游相分离器之冷却器),藉部分冷凝作用大部分酸分离出来,并经由管线(7)排放出去。藉助于气体输送装置(4)(可能系鼓风机或压缩机),挥发性之其余部分则再循环至反应器入口处。因压力调节所得之过多气体则流过管件(5),经由一压力调节器抵达焚化炉(8)。 |
