| 主权项 |
1.一种低温多晶矽薄膜的制造方法,包括:在一基板上形成一第一金属层,其中该第一金属层中系形成有复数个开口,暴露出该基板;进行一倾斜蒸镀步骤,以在该第一金属层上形成一第二金属层,其中该第二金属层中对应每一该些开口之处系形成有一微孔;在该第二金属层上形成一矽层,并且同时在每一该些微孔内之该基板上形成一矽晶种颗粒;移除该第一金属层以及该第二金属层;利用该矽晶种颗粒作为晶种,进行一沈积制程,以在该基板上形成一非晶矽层;以及进行一结晶化步骤,以使该非晶矽层转变成一多晶矽层。2.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽膜的制造方法,其中该倾斜蒸镀步骤之角度系介于10度至30度。3.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽膜的制造方法,其中该倾斜蒸镀步骤系为一电子束蒸镀步骤。4.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽膜的制造方法,其中该第一金属层系为一双层金属层结构。5.如申请专利范围第4项所述之低温多晶矽膜的制造方法,其中该第二金属层之材质系与该双层金属层结构之下层材质相同。6.如申请专利范围第5项所述之低温多晶矽膜的制造方法,其中该第二金属层与该双层金属层结构之下层之材质系为铝。7.如申请专利范围第6项所述之低温多晶矽膜的制造方法,其中移除该第一金属层以及该第二金属层之方法系利用磷酸以剥除之。8.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽膜的制造方法,其中在每一该些微孔内之该基板上形成该矽晶种颗粒之方法系利用一电子束蒸镀法。9.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽膜的制造方法,其中每一该些矽晶种颗粒之尺寸系介于0.5微米至1.0微米之间。10.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽膜的制造方法,其中该结晶化步骤系为一雷射结晶步骤。11.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽膜的制造方法,其中形成该非晶矽层之方法系为一化学气相沈积法。12.一种控制晶种位置的方法,包括:在一基板上形成一第一金属层,其中该第一金属层中系形成有复数个开口,暴露出该基板;进行一倾斜蒸镀步骤,以在该第一金属层上形成一第二金属层,其中该第二金属层中对应该些开口之处系形成有复数个微孔;在该第二金属层上形成一晶种层,并且同时在每一该些微孔内之该基板上形成一晶种颗粒;以及移除该第一金属以及该第二金属层。13.如申请专利范围第12项所述之控制晶种位置的方法,其中该倾斜蒸镀步骤之角度系介于10度至30度。14.如申请专利范围第12项所述之控制晶种位置的方法,其中该倾斜蒸镀步骤系为一电子束蒸镀步骤。15.如申请专利范围第12项所述之控制晶种位置的方法,其中该第一金属层系为一双层金属层结构。16.如申请专利范围第15项所述之控制晶种位置的方法,其中该第二金属层之材质系与该双层金属层结构之下层材质相同。17.如申请专利范围第16项所述之控制晶种位置的方法,其中该第二金属层与该双层金属层结构之下层之材质系为铝。18.如申请专利范围第17项所述之控制晶种位置的方法,其中移除该第一金属层以及该第二金属层之方法系利用磷酸以剥除之。19.如申请专利范围第12项所述之控制晶种位置的方法,其中在每一该些微孔内之该基板上形成该矽晶种颗粒之方法系利用一电子束蒸镀法。20.如申请专利范围第12项所述之控制晶种位置的方法,其中每一该些晶种颗粒之尺寸系介于0.5微米至1.0微米之间。图式简单说明:第1A图至第1G图是依照本发明一较佳实施例之低温多晶矽薄膜之制造流程剖面示意图;以及第2图是第1A图中之光阻层的上视示意图。 |
