用于控制空位为主的单晶硅热过程的方法

摘要

一种生产具有均匀的热过程的单晶硅锭的直拉法。在所述方法中，在晶锭主体的较后面部分，及任选地在端锥生长期间，将供给到侧面加热器上的功率减少，而在同一部分生长期间将供给到底部加热器的功率逐渐增加。本方法能使相当大部分晶锭得到成品晶片，所述晶片具有较少的大于0.2微米的轻微点缺陷和改善了的栅氧化层完整性。

主权项

1.一种用于在生长期间控制单晶硅锭热过程的方法，所述硅锭按照直拉法从硅熔体中拉出，上述晶锭接连地具有一个籽晶锥、一个主体和一个端锥，所述方法包括：在晶锭主体的生长期间，在从固化温度到一温度不低于约1325℃的温度范围内，控制(i)生长速度v和(ii)平均轴向温度梯度G0，以使得在主体的一部分中空位是主要的本征点缺陷；和在该主体的所述部分的生长期间用一侧面加热器和一底部加热器加热硅熔体，其中，在该主体的所述部分的生长期间，减少供给到侧面加热器的功率和增加供给到底部加热器的功率。