| 发明名称 |
Process for forming a silicon-germanium base of a heterojunction bipolar transistor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1132954(A3) |
申请公布日期 |
2004.02.18 |
| 申请号 |
EP20010300208 |
申请日期 |
2001.01.10 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
HUANG, FENG-YI |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/165;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/331 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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