| 主权项 |
1.一种溅镀用钨烧结体靶,其特征在于,相对密度为 99%~未满100%、平均粒径为30m~100m、含氧量为超 过0ppm~20ppm、且抗挠强度为500MPa~680MPa。2.如申请专 利范围第1项之溅镀用钨烧结体靶,其中,Na、K等之 硷金属总量为超过0ppm~1ppm、U、Th等之放射性元素 总量为超过0ppb~10 ppb、碳含量为超过0ppm~ 10ppm、Fe 、Ni、Cr、Mo等之过渡金属或重金属之总和为超过0 ppm-10ppm。3.如申请专利范围第1或2项之溅镀用钨烧 结体靶,其中,密度为99.5% ~未满100%、平均粒径为30 m~80m、且结晶粒形状为等向形状,配向为不规 则。4.一种溅镀用钨烧结体靶之制造方法,其特征 在于,系使用粉体比表面积在0.4m2/g~0.8m2/g(BET法)以 上、含氧量为超过0ppm~1000ppm之钨粉末进行烧结。5 .如申请专利范围第4项之溅镀用钨烧结体靶之制 造方法,系使用粉体比表面积为0.6m2/g~0.8m2/g(BET法) 、含氧量为超过0ppm~800ppm之钨粉末进行烧结。6.一 种溅镀用钨烧结体靶之制造方法,其特征在于,系 使用粉体比表面积在0.4m2/g~0.8m2/g(BET法)之钨粉末, 在真空或还原环境气氛中,以加压开始温度为室温 ~1200℃进行热压烧结之后,进一步进行热均压烧结( HIP)。7.如申请专利范围第6项之溅镀用钨烧结体靶 之制造方法,其中,粉体比表面积为0.6m2/g~0.8m2/g(BET 法)。8.如申请专利范围第4~7项中任一项之溅镀用 钨烧结体靶之制造方法,系利用热压烧结调整成为 相对密度93%~未满100%。9.如申请专利范围第4~7项中 任一项之溅镀用钨烧结体靶之制造方法,系以温度 1600℃~未满2000℃、施加压力150kg/cm2~500kg/cm2来热压 。10.如申请专利范围第8项之溅镀用钨烧结体靶之 制造方法,系以温度1600℃~未满2000℃、施加压力150 kg/cm2~500kg/cm2来热压。11.如申请专利范围第4~7项中 任一项之溅镀用钨烧结体靶之制造方法,系不进行 胶囊化即进行热均压烧结(HIP)。12.如申请专利范 围第4~7项中任一项之溅镀用钨烧结体靶之制造方 法,系以温度1700℃~2000℃、施加压力1000kg/cm2~2000kg/ cm2来进行热均压烧结。13.如申请专利范围第11项 之溅镀用钨烧结体靶之制造方法,系以温度1700℃~ 2000℃、施加压力1000kg/cm2~2000kg/cm2以上来进行热均 压烧结。14.如申请专利范围第12项之溅镀用钨烧 结体靶之制造方法,系以温度1850℃~2000℃、施加压 力1800kg/cm2~2000kg/cm2来进行热均压烧结。15.如申请 专利范围第13项之溅镀用钨烧结体靶之制造方法, 系以温度1850℃~2000℃、施加压力1800kg/cm2~2000kg/cm2 来进行热均压烧结。 |
