发明名称 驱动电路
摘要 一种驱动电路,包括一输入节点,用以接收资料,及一输出节点。该驱动电路亦包括一第一传导型之一第一MOS电晶体及该第一传导型之一第二MOS电晶体。该第一MOS电晶体具有一源极,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,连接至该输入节点。该第二MOS电晶体具有一源极,一汲极,连接至该第一MOS电晶体之源极,及一闸极,以一预定电位位准供应至其上。该驱动电路亦包括电阻装置,连接在该第二MOS电晶体之源极与一电源节点之间,该电源节点以一电源电位位准供应至其上。
申请公布号 TW571269 申请公布日期 2004.01.11
申请号 TW091124469 申请日期 2002.10.23
申请人 冲电气工业股份有限公司 发明人 福迫 真
分类号 G09G3/14 主分类号 G09G3/14
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种驱动电路,包括:一输入节点,用以接收资料;一输出节点;一第一传导型之一第一MOS电晶体,该第一MOS电晶体具有一源极,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,连接至该输入节点;该第一传导型之一第二MOS电晶体,该第二MOS电晶体具有一源极,一汲极,连接至该第一MOS电晶体之源极,及一闸极,以一预定电位位准供应至其上;以及电阻装置,连接在该第二MOS电晶体之源极与一电源节点之间,该电源节点以一电源电位位准供应至其上。2.如申请专利范围第1项所述之驱动电路,其中该些电阻装置包括一MOS电晶体。3.如申请专利范围第1项所述之驱动电路,其中该第二MOS电晶体供应一定电流至该输出节点。4.如申请专利范围第1项所述之驱动电路,更包括一第二传导型之一第三MOS电晶体,该第三MOS电晶体具有一源极,连接至一地节点,以一地电位位准供应至其上,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,连接至该输入节点。5.一种驱动电路,包括:一输入节点,用以接收资料;一输出节点;一第一传导型之一第一MOS电晶体,该第一MOS电晶体具有一源极,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,连接至该输入节点;该第一传导型之一第二MOS电晶体,该第二MOS电晶体具有一源极,一汲极,连接至该第一MOS电晶体之源极,及一闸极,以一预定电位位准供应至其上;以及电阻装置,连接在该第二MOS电晶体之源极与一地节点之间,该地节点以一地电位位准供应至其上。6.如申请专利范围第5项所述之驱动电路,其中该些电阻装置包括一MOS电晶体。7.如申请专利范围第5项所述之驱动电路,更包括一第二传导型之一第三MOS电晶体,该第三MOS电晶体具有一源极,连接至一电源节点,以一电源电位位准供应至其上,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,连接至该输入节点。8.如申请专利范围第5项所述之驱动电路,其中该第二MOS电晶体供应一定电流至该输出节点。9.一种驱动电路,包括:一输入节点,用以接收资料;一输出节点;一第一传导型之一第一MOS电晶体,该第一MOS电晶体具有一源极,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,以一预定电位位准供应至其上;以及该第一传导型之一第二MOS电晶体,该第二MOS电晶体具有一源极,连接至一电源节点,以一电源电位位准供应至其上,一汲极,连接至该第一MOS电晶体之源极,及一闸极,连接至该输入节点。10.如申请专利范围第9项所述之驱动电路,更包括一第二传导型之一第三MOS电晶体,该第三MOS电晶体具有一源极,连接至一地节点,以一地电位位准供应至其上,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,连接至该输入节点。11.如申请专利范围第9项所述之驱动电路,其中该第二MOS电晶体供应一定电流至该输出节点。12.一种驱动电路,包括:一输入节点,用以接收资料;一输出节点;一第一传导型之一第一MOS电晶体,该第一MOS电晶体具有一源极,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,以一预定电位位准供应至其上;以及该第一传导型之一第二MOS电晶体,该第二MOS电晶体具有一源极,连接至一地节点,以一地电位位准供应至其上,一汲极,连接至该第一MOS电晶体之源极,及一闸极,连接至该输入节点。13.如申请专利范围第12项所述之驱动电路,更包括一第二传导型之一第三MOS电晶体,该第三MOS电晶体具有一源极,连接至一电源节点,以一电源电位位准供应至其上,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,连接至该输入节点。14.如申请专利范围第12项所述之驱动电路,其中该第二MOS电晶体供应一定电流至该输出节点。15.一种驱动电路,包括:一电源节点,以一电源电位位准供应至其上;一地节点,以一地电位位准供应至其上;一资料输入节点,用以接收资料;一输出节点,一发光元件连接至其上;一第一传导型之一第一MOS电晶体,该第一MOS电晶体具有一源极,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,连接至该资料输入节点;一第二传导型之一第二MOS电晶体,该第二MOS电晶体具有一源极,连接至该地节点,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,连接至该资料输入节点;该第一传导型之一第三MOS电晶体,该第三MOS电晶体具有一源极,一汲极,连接至该第一MOS电晶体之源极,及一闸极,以该电源电位位准与该地电位位准之间之一预定电位位准供应至其上;以及电阻装置,连接在该电源节点与该该第三MOS电晶体之源极之间。16.如申请专利范围第15项所述之驱动电路,其中该些电阻装置包括一MOS电晶体。17.如申请专利范围第15项所述之驱动电路,其中该第三MOS电晶体供应一定电流至该输出节点。18.一种驱动电路,包括:一电源节点,以一电源电位位准供应至其上;一地节点,以一地电位位准供应至其上;一资料输入节点,用以接收资料;一输出节点,一发光元件连接至其上;一第一传导型之一第一MOS电晶体,该第一MOS电晶体具有一源极,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,以该电源电位位准与该地电位位准之间之一预定电位位准供应至其上;该第一传导型之一第二MOS电晶体,该第二MOS电晶体具有一源极,连接至该电源节点,一汲极,连接至该第一MOS电晶体之源极,及一闸极,连接至该资料输入节点;一第二传导型之一第三MOS电晶体,该第三MOS电晶体具有一源极,连接至该地节点,一汲极,连接至该输出节点,及一闸极,连接至该资料输入节点。19.如申请专利范围第18项所述之驱动电路,其中该第一MOS电晶体供应一定电流至该输出节点。图式简单说明:第1图是概略地绘示一般使用EL元件的显示单元的电路图。第2图是概略地绘示包括依照本发明的驱动电路的显示单元的电路图。第3图是绘示依照本发明的第一实施例的资料线驱动电路1005的详细电路图。第4图是形成在半导体晶片上的资料线驱动电路1005的布局图。第5图是描述依照本发明的第一实施例的资料线驱动电路1005的电路图。第6图是用以叙述PMOS电晶体P303的运作特性的图式。第7图是绘示依照本发明的第二实施侧的资料线驱动电路1005的详细电路图。第8图是阐述依照本发明的第二实施例的资料线驱动电路1005的电路图。第9图是绘示依照本发明的第一实施例的资料线驱动电路的修饰的电路图。第10图是阐述依照本发明的第二实施例的资料线驱动电路的修饰的电路图。
地址 日本