| 主权项 |
1.一种用于制造微电子组总成之元件,包含:(a)一本体,其具有一表面;及(b)复数个延伸于该表面上方之巢状引线,各巢状引线具有第一及第二端,以及一延伸于该端之间之长形主要部分,各巢状引线的主要区段弯曲,以围绕及部分环绕该表面之一内面积,各巢状引线的第一端配置于由另一该巢状围绕的内面积中。2.如申请专利范围第1项之元件,其中各巢状引线之一端系固定至该本体之锚接端,各引线之另一端系尖端,其可相对于该本体移动,邻近于尖端之主要区段的一部分可相对于该本体移动。3.如申请专利范围第1项之元件,其中各巢状引线之一端系锚接端,各巢状引线之另一端系尖端,该引线连接至该基部,以致于该尖端可藉由一预先决定的处理而自该基部释放,该处理使该锚接端保持固定至该基部。4.如申请专利范围第1项之元件,其中该巢状引线配置成群组,且各巢状引线之第一端配置于由相同群组中之另一引线环绕的内部面积中。5.如申请专利范围第1项之元件,其中该巢状引线配置成对,且各巢状引线之第一端配置于由同对中之另一引线环绕的内部面积中。6.如申请专利范围第5项之元件,其中各巢状引线的第一端之宽度大于相同引线的主要区段的宽度。7.如申请专利范围第6项之元件,其中各巢状引线的第一端之宽度大于相同引线的第二端之宽度。8.如申请专利范围第6项之元件,其中各巢状引线之主要区域绕一中心点,于相同对中另一引线的第一端中,延伸至少约150的角。9.如申请专利范围第8项之元件,其中各巢状引线之第一端大体上系圆形,且各大体上系圆形的第一端之直径大于此第一端附近的主要区段之宽度。10.如申请专利范围第9项之元件,其中各巢状引线之主要部分包含一拱形边线,其与相同对中之另一引线之第一端同心。11.如申请专利范围第6项之元件,其中各巢状引线具有一推拔形区段,其在此引线之第一端及主要区段之间。12.如申请专利范围第7项之元件,其中各巢状引线之第二端之宽度大于此尖端附近之主要区段之宽度。13.如申请专利范围第5项之元件,其中各对巢状引线之引线系相同。14.如申请专利范围第12项之元件,其中该巢状引线包含复数对巢状引线,其在引线对的阵列中配置成相邻。15.如申请专利范围第2项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线的锚接端,每一该巢状引线之第二端系引线的尖端。16.如申请专利范围第3项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线之锚接端,各巢状引线之第二端系引线之尖端。17.如申请专利范围第4项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线之锚接端,每一该巢状引线之第二端系引线之尖端。18.如申请专利范围第5项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线之锚接端,各巢状引线之第二端系引线之尖端。19.如申请专利范围第6项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线之锚接端,各巢状引线之第二端系引线之尖端。20.如申请专利范围第7项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线之锚接端,各巢状引线之第二端系引线之尖端。21.如申请专利范围第8项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线之锚接端,各巢状引线之第二端系引线之尖端。22.如申请专利范围第9项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线之锚接端,各巢状引线之第二端系引线之尖端。23.如申请专利范围第10项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线之锚接端,各巢状引线之第二端系引线之尖端。24.如申请专利范围第11项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线之锚接端,各巢状引线之第二端系引线之尖端。25.如申请专利范围第12项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线之锚接端,各巢状引线之第二端系引线之尖端。26.如申请专利范围第13项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线之锚接端,各巢状引线之第二端系引线之尖端。27.如申请专利范围第14项之元件,其中各巢状引线之第一端系引线之锚接端,各巢状引线之第二端系引线之尖端。28.一种用于制造微电子总成之元件,包含:(a)一具有一表面之基部,该表面上之地方由一座标系统界定,座标系统包含+X方向、相对于该+X方向之-X方向、垂直于该X方向之+Y方向及相对于该+Y方向之-Y方向;及(b)复数对延伸于该表面上方之巢状引线,各对引线包含一第一引线及一第二引线,各巢状引线具有一第一端、一第二端及一延伸于此端之间之长形主要部分,各巢状引线之主要部分系曲线形,以围绕及部分环绕一相同对之另一引线的第一端,且各对的第二引线在+Y方向偏置于第一引线的第一端。29.如申请专利范围第16项之元件,其中各端之一端系固定至该基部之锚接端,而各巢状引线之另一端系可相对于该基部移动的尖端。30.如申请专利范围第16项之元件,其中各巢状引线之一端系锚接端,各巢状引线之另一端系尖端,该引线连接至该基部,以致于该尖端可藉由一预先决定之处理而自该基部释放,该处理使该锚接端保持固定至该基部。31.如申请专利范围第16项之元件,其中该对沿着一或多个重覆线,与该+Y方向配置成斜角。32.如申请专利范围第19项之元件,其中该一或多个重覆线包含复数互相平行延伸的重覆线,以致于在复数重覆线中之引线对形成一在该X及Y方向延伸之阵列,且引线之第一端配置在平行于该X方向之列中。33.如申请专利范围第20项之元件,其中该对沿着该重覆线而隔离,以致于除了在重覆线的端部以外,各对中之第二引线的第一端位于与相同重覆线上之次一接续对中的第一引线第一端相同的列上。34.如申请专利范围第21项之元件,其中不同重覆线上之对中的引线之至少某些第一端在X方向互相对准,因而此对准的第一端在平行于Y方向的行中延伸。35.如申请专利范围第22项之元件,其中每一对中之引线的第一端在X方向互相对准,因而引线的第一端界定该对之一中心轴线,其平行于Y方向,且每一对中之引线的第一端位于该衆行中的同一行。36.如申请专利范围第23项之元件,其中各对中之第一引线的主要部分包含一近区域、一边线及一远区域,近区域自此引线之第一端往+Y方向延伸,边线自近区域,于各对之第二引线的第一端周围延伸,远区域在-Y方向,自边线延伸至此引线之第二端,且各对中之第二引线的主要部分包含一近区域、一边线及一远区域,近区域自此引线之第一端经Y方向延伸,边线自近区域,于各对之第一引线的第一端周围延伸,远区域在+Y方向,自边线延伸至此引线之第二端。37.如申请专利范围第24项之元件,其中各对中之第一引线的主要部分之近区域往-X方向延伸,且每一对中之第二引线的主要部分之近区域往+X方向延伸。38.如申请专利范围第25项之元件,其中各对中之第一引线的主要部分之近区域系曲线形,且具有一曲率中心,其在-X方向偏于此近区域,且每一对中之第二引线的主要部分之近区域绕一曲率中心成曲线形,曲率中心在+X方向偏置于此近区域。39.如申请专利范围第24项之元件,其中各对中之引线的第二端在Y方向互相对准。40.如申请专利范围第27项之元件,其中在该阵列中之引线的第二端配置在平行于X方向而延伸的列中。41.一种用于微电子总成连接之方法,包含下列步骤:(a)提供第一与第二元件及复数连接于这些元件之间且大体上为平面形之巢状引线,各巢状引线具有一连接至第一元件之第一端、一连接至第二元件之第二端及一延伸于该端之间之长形主要区段,各巢状引线之主要区段为曲线形,以围绕及部分环绕该巢状引线中另一引线之第一端;然后(b)在一举升步骤中,使该第一及第二元件互相分离,而一元件在垂直于引线平面的垂直方向移动,以使该巢状引线弯入一垂直延伸的地方。42.如申请专利范围第29项之方法,其中该巢状引线配置成群组,且各巢状引线之第一端配置成由相同群组中的另一引线之主要部分围绕及部分地环绕。43.如申请专利范围第29项之方法,其中该巢状引线配置成对,且各巢状引线之第一端配置成由相同群组中的另一引线之主要部分围绕及部分地环绕。44.如申请专利范围第31项之方法,其中在该举升步骤期间,邻近于引线之第二端之各巢状引线之一部分随着一水平元件的动作,朝向相同对中之另一引线的第一端而移动。45.如申请专利范围第29项之方法,其中提供该元件的步骤包含提供该引线于该第一元件上,使该第一元件与该第二元件并列,及使引线之第二端接合至第二元件上之接触件。46.如申请专利范围第33项之方法,其中该第一元件包含一连接元件,且该第二元件包含一或更多半导体晶片。47.如申请专利范围第33项之方法,其中该第二元件上之接触件配置在小于约500微米的间距。图式简单说明:图1系示意透视图,显示使用在依据本发明之一实施例的过程中的元件。图2系图1所示元件之示意剖视图,系在一曲线形切削平面沿着单一引线的长度所作者。图3系图1及2所示元件的分解平视图,绘示此元件之一表面的一部分。图4系图3所示一尺寸放大的面积之分解平视图。图5及6系类似于图2的视图,但绘示在过程之后阶段的元件。图7系在图1-6之过程中制成之总成的示意透视图。图8系分解示意平视图,绘示一依据本发明另一实施例的元件之一部分。图9系分解示意平视图,绘示依据本发明又一实施例的元件一部分。图10系类似于图2的视图,但绘示依据本发明再一实施例的元件。图11-13系分解剖视图,绘示在依据本发明再一实施例的过程中之连续阶段的元件。 |
