发明名称 Integrierte Schaltungsvorrichtung, die selbstjustierte Kontakte mit einer erhöhten Ausrichtungsgrenze aufweisen, und Verfahren zur Herstellung derselben
摘要 Eine integrierte Schaltungsvorrichtung, beispielsweise eine Speichervorrichtung, enthält ein Substrat und in dem Substrat eine Vielzahl von Reihen aus aktiven Bereichen, wobei die aktiven Bereiche in einem gestaffelten Muster derart angeordnet sind, daß aktive Bereiche einer ersten Reihe mit Abschnitten eines Isolationsbereichs, der aktive Bereiche von der benachbarten zweiten aktiven Reihe trennt, ausgerichtet sind. Source- und Drainbereiche sind in den aktiven Bereichen und sind derart angeordnet, daß jeder Bereich einen Drainbereich aufweist, der zwischen zwei Sourcebereichen liegt. Eine Vielzahl von Wortleitungsstrukturen sind auf dem Substrat und quer zu den Reihen von aktiven Bereichen derart angeordnet, daß die Wortleitungsstrukturen die aktiven Bereiche zwischen den Sourcebereichen und den Drainbereichen kreuzen. Jeweilige Reihen von Leitungspads liegen zwischen jeweiligen benachbarten Wortleitungsstrukturen, einschließlich erster Leitungspads auf den Sourcebereichen, zweiter Leitungspads auf den Drainbereichen und dritter Leitungspads auf die aktiven Bereiche trennenden Isolationsbereiche. Eine Vielzahl von Bitleitungsstrukturen sind auf dem Substrat und erstrecken sich quer zu den Wortleitungsstrukturen und konktaktieren die zweiten Leitungspads. Geeignete Herstellungsverfahren werden ebenso beschrieben.
申请公布号 DE10223748(A1) 申请公布日期 2002.12.12
申请号 DE20021023748 申请日期 2002.05.28
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 YANG, WON-SUK;KIM, KI-NAM
分类号 H01L21/768;H01L21/60;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/088;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/105;H01L21/823 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
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