| 主权项 |
1.一种非挥发性半导体记忆装置,具备有:由多数字线,与该多数字线交叉配设之多数位元线,设在该字线与该位元线之各交点之非挥发性记忆格,所构成之记忆格阵列;及由可暂时记忆从外部输入之写入资料之资料暂存器,所构成之多数储存单元,该多数储存单元可分别藉输入指令及输入位址信号之组合,选择特定之字线,对连接该字线之所有或一部分之记忆格,写入记忆在资料暂存器之写入资料,其特征在于,上述各储存单元之从资料暂存器至记忆格之写入动作,可以由各储存单元独立动作,且纵使一部分之储存单元正从资料暂存器对记忆格执行写入动作中,仍可指定其他储存单元,从外部将写入资料转送至该储存单元之资料暂存器。2.如申请专利范围第1项之非挥发性半导体记忆装置,其特征在于,备有:可以取上述多数储存单元数以上之状态,可依该状态输出,从上述多数储存单元中指定特定之一个储存单元之信号之储存单元选择暂存器,上述储存单元选择暂存器之状态,可以藉外部之输入信号设定。3.如申请专利范围第2项之非挥发性半导体记忆装置,其特征在于,上述储存单元选择暂存器之状态可以从外部读出。4.如申请专利范围第1项之非挥发性半导体记忆装置,其特征在于,具有多数储存单元启动信号输入端子,可输出利用该多数储存单元启动信号之组合,从上述多数储存单元中指定特定之一个储存单元之内部控制信号。5.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之非挥发性半导体记忆装置,其特征在于,上述从外部对各储存单元之资料暂存器之写入资料之转送,系对属于上述特定储存单元之资料暂存器进行。6.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之非挥发性半导体记忆装置,其特征在于,可对外部之状态确认指令,输出上述指定之储存单元之状态。7.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之非挥发性半导体记忆装置,其特征在于,对外部之读出、抹除、写入、或状态确认指令,上述指定之储存单元成为其对象。8.一种半导体碟片装置,内部设有一个或多数非挥发性半导体记忆装置,可应主系统之撷取碟片之要求,撷取该等非挥发性半导体记忆装置,其特征在于,上述内设之非挥发性半导体记忆装置所具有之储存单元之数目之合计(以下表示为Nb)有两个以上,连接在上述非挥发性半导体记忆装置,控制上述各非挥发性半导体记忆装置之控制装置具备有,上述各非挥发性半导体记忆装置所具有之资料暂存器容量之合计量(以下表示为A)以上容量之资料缓冲器,以及,能够暂时记忆该资料缓冲器所保持之资料,及供写入该资料之相对应之非挥发性半导体记忆装置之缓冲器管理表。9.如申请专利范围第8项之半导体碟片装置,其特征在于,上述资料缓冲器之容量在2A以上。10.如申请专利范围第8项或第9项之半导体碟片装置,其特征在于,上述资料缓冲器可至少分成Nb个领域定址。11.如申请专利范围第10项之半导体碟片装置,其特征在于,上述缓冲器管理表之申请专利范围第10项所述之每一领域,记忆有表示该领域所记忆之写入资料被转送之对方之储存单元之识别子,从转送对方成为备妥状态之领域之资料开始向该转送对方转送资料,开始在非挥发性半导体记忆装置写入。12.如申请专利范围第11项之半导体碟片装置,其特征在于,记忆在上述缓冲器管理表之每一领域之资讯,系附带各领域所记忆之写入资料在转送至非挥发性半导体记忆装置时之执行优先度表示之。13.如申请专利范围第11项之半导体碟片装置,其特征在于,记忆在上述缓冲器管理表之每一领域之资讯,系附带各领域所记忆之写入资料是否已经转送至非挥发性半导体记忆装置之资讯表示之。14.如申请专利范围第8项或第9项之半导体碟片装置,其特征在于,上述缓冲器管理表,系在各非挥发性半导体记忆装置所具有之每一储存单元,含有将资料缓冲器定址之资讯,在该定址之领域记忆有要转送至该储存单元之写入资料,而从成为备妥状态之储存单元,将该写入资料转送至该储存单元,开始在非挥发性半导体记忆装置写入。15.如申请专利范围第14项之半导体碟片装置,其特征在于,上述缓冲器管理表之每一储存单元所示之资讯,含有将资料缓冲器领域定址之多数资讯,该资讯系附带有关转送至该储存单元之顺序之资讯表示之。16.如申请专利范围第14项或第15项之半导体碟片装置,其特征在于,上述将资料缓冲器领域定址之资讯,系将上述资料缓冲器至少被分成上述Nb个之领域加以定址之资讯。图式简单说明:第1图系传统之半导体碟片装置之方块图。第2图系表示半导体碟片之不挥发性半导体记忆装置之架构图。第3图系表示传统之半导体碟片之写入动作之流程图。第4图系表示传统之高速写入之问题点之图。第5图系本发明之半导体碟片装置之例子之方块图。第6图系表示本发明之半导体碟片装置之资料缓冲器之架构例子之图。第7图系表示本发明之半导体碟片装置之缓冲器管理表之构成例子之图。第8图系表示本发明之半导体碟片之写入动作之例子之流程图。第9图系表示本发明之半导体碟片装置之缓冲器管理表之构成例子之图。第10图系表示本发明之半导体碟片之写入动作之例子之流程图。第11图系表示本发明之具有多数存储单元之不挥发性半导体记忆装置之架构例子之图。第12图系表示本发明之半导体碟片装置之缓冲器管理表之构成例子之图。第13图系表示本发明之半导体碟片装置之缓冲器管理表之构成例子之图。第14图系表示本发明之半导体碟片之写入动作之例子之流程图。第15图系表示本发明之半导体碟片之写入动作之例子之流程图。第16图系表示本发明之具有多数存储单元之不挥发性半导体记忆装置之架构例子之图。第17图系表示本发明之半导体碟片之不挥发性半导体记忆装置之构成例子之图。第18图系表示本发明之半导体碟片之不挥发性半导体记忆装置之构成例子之图。 |
