| 发明名称 | III－V族化合物半导体晶片 | ||
| 摘要 | 一种由III-V族化合物半导体构成的晶片(21)包括由III-V族化合物构成的衬底(22)和在衬底(22)上形成的III-V族化合物层构成的外延层(26)，半导体衬底的外周边缘部分被这样倒角，使得其截面大体上是半径为R的弧形。离开衬底(22)的外周边缘距离为L的衬底(22)的一部分被去掉，所述距离L满足下面的表达式R≤L≤3R。 | ||
| 申请公布号 | CN1090382C | 申请公布日期 | 2002.09.04 |
| 申请号 | CN98109520.8 | 申请日期 | 1998.05.22 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 三浦祥纪;森本俊之 |
| 分类号 | H01L21/304;H01L21/00;C23C16/00 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴增勇;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种III-V族化合物半导体晶片(10)，它包括包含III-V族化合物的半导体衬底(1)和在所述半导体衬底(1)上形成的III-V族化合物层(2)，从所述III-V族化合物半导体晶片(10)的外周边缘部分去除外延反常生长部分，所述III-V族化合物半导体晶片(10)的一部分被削去到这样的位置，即，离开III-V族化合物半导体晶片(10)的外周边缘部分有L的距离，其特征在于对所述半导体衬底的外周边缘部分进行倒角，使得其截面大体上是半径为R的弧形，所述距离L满足下面的表达式R≤L≤3R；所述半导体衬底(1)是从所述III-V族化合物半导体晶片(10)的外周边缘部分地露出，露出的部分离开所述外周边缘最多0.1mm的距离。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||