| 主权项 |
1.一种受光元件阵列,用来接受从波长多工化之光分离成每一个波长之排列成直线状之分波光,其特征是具备有:多个信号监视用之受光元件;和多个杂讯监视用之受光元件;上述之信号监视用之受光元件,和上述之杂讯监视用之受光元件,在上述之分波光之排列方向之相同方向,交替的排列成直线状。2.如申请专利范围第1项之受光元件阵列,其中上述之信号监视用之受光元件和上述之杂讯监视用之受光元件由pin光电二极体构成。3.一种光分波器,具备有申请专利范围第1或2项之受光元件阵列,用来接受从波长多工化之光分离成每一个波长之排列成直线状之分波光;其特征是:利用上述之受光元件阵列用来监视每一个分波光之信号和杂讯之分离。4.一种受光元件阵列,用来接受从波长多工化之光分离成每一个波长之排列成直线状之分波光;其特征是具备有:第1受光元件列,由以指定之间距排列在上述分波光之排列方向之相同方向之多个受光元件所构成;和第2受光元件列,由以与上述之指定间距之相同间距排列在上述分波光之排列方向之相同方向之多个受光元件所构成;上述之第1受光元件列和上述之第2受光元件列被配置成为在排列方向相差半个间距之2列。5.如申请专利范围第4项之受光元件阵列,其中上述之受光元件为pin光电二极体构成。6.一种光分波器,具备有申请专利范围第4或5项之受光元件阵列,用来接受从波长多工化之光分离成每一个波长之排列成直线状之分波光;其特征是:利用该受光元件阵列用来监视分波光。7.一种受光元件阵列如分波光之位置调正方法,在光分波器中具有申请专利范围第4或5项之受光元件阵列,用来接受从波长多工化之光分离成每一个波长之排列成直线状之分波光,利用上述之受光元件阵列用来监视分波光;其特征是:使用在上述第1和第2受光元件则之受光元件之排列方向之垂直方向,互相邻接之3个受光元件之输出信号,用来进行受光元件和分波光之位置调正。8.一种受光元件阵列,用来接受从波长多工化之光分离成每一个波长之排列成直线状之分波光;其特征是具备有:多个信号监视用受光元件;和多个电极间短路受光元件;上述之信号监视用之受光元件和上述之电极间短路受光元件,在上述之分波光排列方向之相同方向,交替的排列成直线状。9.如申请专利范围第8项之受光元件阵列,其中上述之信号监视用之受光元件和上述之电极间短路受光元件由pin光电二极体构成。10.如申请专利范围第9项之受光元件阵列,其中上述之pin光电二极体具备有:n型半导体层,i型半导体层和n型半导体层,积层在n型半导体基板上;p型区域层,其形成是使成为p型之材料,部份扩散成为最上层之n型半导体层而形成;p型电极,设在所形成p型区域层之上;和共用之n型电极,设在上述之n型半导体基板之背面。11.如申请专利范围第9项之受光元件阵列,其中上述之pin光电二极体:具备有积层在n型半导体基板上之n型半导体层,i型半导体层和p型半导体层,上述之p型半导体层和上述之i型半导体层利用分离沟用来使邻接之p型半导体层和i型半导体层互相分离;和具备有设在上述之p型半导体层上之p型电极,和设在上述之n型半导体基板之背面之共用之n型电极。12.如申请专利范围第10或11项之受光元件阵列,其中上述之电极间短路受光元件使其p型电极短路在上述之共用之n型电极。13.如申请专利范围第10或11项之受光元件阵列,其中上述之电极间短路受光元件使其p型电极连接到1根之共用金属配线,该共用金属配线短路在上述之共用之n型电极。14.如申请专利范围第8或9项之受光元件阵列,其中上述之电极间短路受光元件之元件面积小于邻接之信号监视所受光元件之元件面积。15.如申请专利范围第8或9项之受光元件阵列,其中在上述之电极间短路受光元件之受光面设有遮光膜。16.一种光分波器,具备有申请专利范围第8或9项之受光元件阵列,用来接受从波长多工化之光分离成每一个波长之排列成直线状之分波光;其特征是:利用上述之受光元件阵列用来监视分波光。图式简单说明:图1表示光分波器之构造。图2是扩散型受光元件阵列之剖面图。图3是台面型受光元件阵列之剖面图。图4表示N通道之光被多工化后之信号光。图5表示监视N通道之分波光之受光元件阵列。图6是第一实施例之受光元件阵列之平面图。图7是扩散型受光元件阵列晶片之平面图。图8是台面型受光元件阵列晶片之平面图。图9表示将N通道之信号和杂讯分离之检测电路。图10表示全部之分波光,不会发生频谱幅度之扩大和波长偏差的射入到信号监视用之受光元件之状态。图11表示分波光L1之尖峰波长从正常値移位后之状态。图12表示第2实施例之受光元件阵列。图13用来说明受光元件阵列和分波光之位置调正。图14用来说明受光元件阵列之分解能力之提高。图15用来说明受光元件阵列之分解能力之提高。图16是第3实施例之受光元件阵列晶片之平面图。图17表示设有电极之台面型受光元件阵列。图18是第3实施例之另一受光元件阵列晶片之平面图。图19是第3实施例之另一受光元件阵列晶片之平面图。图20是第3实施例之另一受光元件阵列晶片之平面图。 |
