| 发明名称 | 硅基薄膜的形成方法,硅基薄膜和光电元件 | ||
| 摘要 | 在用含有卤化硅和氢气的源气的高频等离子体CVD中,将由公式Q=P<SUB>O</SUB>×P<SUB>R</SUB>/S/d确定的Q值控制为50或更高,其中,P<SUB>O</SUB>(W)为供给功率,S(cm<SUP>2</SUP>)为高频引入电极的面积,d(cm)为高频引入电极和基材之间的距离,P<SUB>R</SUB>(mTorr)为压力。由此,本发明提供了一种形成硅薄膜的方法,硅薄膜和具有优异的光电性能的光电元件,用该方法可获得工业化水平的薄膜形成速度。 | ||
| 申请公布号 | CN1330392A | 申请公布日期 | 2002.01.09 |
| 申请号 | CN01124925.0 | 申请日期 | 2001.05.31 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 近藤隆治;松田高一;东川诚 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L31/075;H01L31/00 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 段承恩 |
| 主权项 | 1、一种形成硅基薄膜的方法，它包括用含有卤化硅和氢气的源气进行高频等离子体CVD，其中由公式Q＝P0×PR/S/d确定的Q值为50或更高，其中，P0(W)为供给功率，S(cm2)为高频引入电极的面积，d(cm)为高频引入电极和基材之间的距离，PR(mTorr)为压力。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||