| 摘要 |
<p>본 발명은 플라즈마를 이용한 식각공정에서 절연막이 파괴되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 가장자리의 전도막과 반도체 웨이퍼를 연결하여 접지시키는데 특징이 있다. 이를 위해 소자분리 산화막 형성 과정에서 웨이퍼 가장자리 영역에 종래 보다 크기가 큰 산화방지 마스크를 형성하여 소자분리 산화막의 크기를 줄이고, 이에 의해 이후 웨이퍼 상에 형성되는 전도막과 소자분리 산화막이 형성되지 않은 반도체 웨이퍼 영역을 연결한다.</p> |
