| 摘要 |
<p>본 발명은 하드마스크를 갖는 반도체소자의 식각방법에 관한 것으로, 특히 이 방법은 반도체기판 상부에 게이트 절연막/ 도프트 폴리실리콘/ 티타늄실리사이드/ 비반사막/ 하드마스크용 절연막을 순차적으로 적층하고, 하드마스크용 절연막 상부에 반도체소자의 영역을 정의하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성하고, 비반사막을 식각 정지막으로 삼아서 상기 패턴에 의해 드러난 하드마스크용 절연막만을 선택적으로 식각하고, 비반사막과 티타늄실리사이드층 및 폴리실리콘을 동일챔버에서 식각하여 반도체소자 패턴을 형성한 후에 포토레지스트 패턴을 제거한다. 이에 따라, 본 발명은 하드마스크와 비반사막을 동시에 선택식각하지 않고 분리해서 식각하므로써 하드마스크 아래 티타늄실리사이드의 상부면에서 발생하는 폴리머 생성을 최소화하여 정확한 반도체소자의 패턴을 확보할 수 있다.</p> |
