发明名称 PROCEDE PERMETTANT DE COMMANDER SELECTIVEMENT L'OXYDATION D'UNE COUCHE DANS UN LASER A EMISSION EN SURFACE A CAVITE VERTICALE, ET LASER OBTENU AU MOYEN DE CE PROCEDE
摘要 <P>L'invention concerne un procédé permettant de commander l'oxydation d'une couche (190) contenant une matière oxydable qui s'étend dans un plan transversal d'un laser à émission en surface à cavité verticale noté VCSEL, lequel comprend en outre un substrat (101), des empilements de Bragg (109) et (127), une région active (117) et une région de contact (132). Le procédé effectue une implantation sélective d'ions dans des régions transversalement séparées de la couche (190) afin de modifier la concentration en la matière oxydable dans les régions transversalement séparées. Ensuite, on oxyde la couche, le degré d'oxydation de la couche variant suivant la direction transversale entre les régions implantées (190a) et les régions non implantées (190b) de la couche. L'invention concerne également le laser ainsi réalisé.</P>
申请公布号 FR2804794(A1) 申请公布日期 2001.08.10
申请号 FR20000009661 申请日期 2000.07.24
申请人 MITEL SEMICONDUCTOR AB 发明人 STREUBEL KLAUS;RISBERG ANITA
分类号 H01S5/183;H01S5/20;(IPC1-7):H01L33/00;H01S3/00 主分类号 H01S5/183
代理机构 代理人
主权项
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