| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,主要为连接四角形的半导体晶片和具有沿着该4边隔着一定间隔所配置之复数突起电极之基板的过程,其特征为:前述突起电极系以包围前述半导体晶片中心领域来形成环状阵列,且前述突起电极阵列在于其一部分具有较前述一定间隔更为宽阔之空缺部,以注射树脂材料于前述空缺部中来形成树脂层于前述半导体晶片和前述基板之间的空间领域。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中前述树脂材料乃使用着常温下具有50至200泊之黏度的环氧系树脂。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中前述空缺部乃配设于前述半导体晶片之一对互相为对向侧之2个位置。4.一种半导体装置的制造方法,其特征为具备有过程:予以准备具有电路元件和复数外部端子于主面之四角形状之半导体晶片,及藉复数之突起电极来与前述半导体晶片相连接之电路基板之过程,而前述突起电极乃与前述外部端子成电性连接,前述突起电极系在前述主面成平面沿着其四边来配设成复数列之突起电极阵列且形成相等间隔之第1间隔,而前述突起电极阵列更具备有以较前述第1间隔更为宽阔间隔所构成之空缺部于前述平面上;以藉前述突起电极来装配前述半导体晶片至前述电路基板上之过程;及完成前述装配过程后,将树脂要注射填充于前述半导体晶片主面和前述电路基板之间的空缺部之过程,由而从前述突起电极阵列之外部朝向前述主面中心部形成树脂层于前述半导体晶片之主面和前述电路基板之空间内。5.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中前述空缺部系形成于前述主面之4边中之一,而前述树脂系从形成相对向于前述空缺部且被形成于前述主面之4边中之另一边空缺部来注射填充。6.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中前述树脂材料乃使用着常温下具有50至200泊之黏度的环氧系树脂。7.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中前述空缺部系配设于由前述主面之4边所形成之角隅部中之一。8.如申请专利范国第4项之半导体装置之制造方法,其中前述树脂系以使用毛细管效果来注射填充于前述突起电极间之领域,并设定成渗透前述中心部之树脂渗透速度形成较渗透前述突起电极端子群内之渗透速度更为快。图式简单说明:第一图系显示本发明的一实施例的半导体装置,(a)为(b)的a-a箭号的断面图,(b)为侧面断面图。第二图系显示使用于本发明的一实施例的半导体装置的制造方法的晶片,(a)为底面图,(b)为扩大部份断面图。第三图系显示使用于本发明的一实施例的半导体装置的制造方法的基板,(a)为平面图,(b)为扩大部份断面图。第四图系显示本发明的一实施例的半导体装置的制造方法的接续端点形成过程,(a)为晶片与基板的暂时接着过程的一部份切断扩大正面图,(b)为接续端点形成后的一部份切断扩大正面图。第五图系显示使用于本发明的一实施例的半导体装置的制造方法的补强用树脂充填过程的实施的补强用树脂充填装置,(a)为正面图,(b)为侧面断面图。第六图系显示本发明的一实施例的半导体装置的制造方法的补强用树脂充填过程,(a)为相当于显示充填中的第五图(b)的y-y箭号视图的断面图,(b)为显示其末期的断面图。第七图系显示用以说明补强用树脂充填过程的作用的以往例,(a)为相当于显示充填前的第五图(b)的y-y箭号视图的断面图,(b)为显示充填中的断面图。第八图系显示第七图的后续,(a)为显示充填的后半的断面图,(b)为显示其末期的断面图。第九图系显示本发明的一实施例的半导体装置的碗型格子阵列包装,(a)为上半部为正面图而下半部为底面图,(b)为一部份切断正面图。第十图系显示本发明的实施例2的半导体装置的制造方法的补强用树脂充填过程,(a)为显示充填中的侧面断面图,(b)为相当于(a)的b-b箭号视图的断面图。第十一图系显示第十图的后续,(a)为显示充填末的断面图,(b)为显示充填终了的断面图。第十二图系显示本发明的实施例3的半导体装置,(a)为(b)的a-a箭号视图的断面图,(b)为侧面断面图。第十三图系显示此半导体装置的制造方法的补强用树脂充填过程,(a)为相当于显示充填中的第六图(a)的断面图,(b)为显示其末期的断面图。第十四图系显示本发明的实施例4的半导体装置,(a)为(b)的a-a箭号视图的断面图,(b)为侧面断面图。第十五图(a)系显示本发明的一实施例的接脚格子阵列包装的半导体装置的正面断面图,(b)系显示直接构装于印刷电路基板的本发明的一实施例的半导体装置的正面断面图。 |
