| 摘要 |
<p>본 발명은 Si 기판과; Si 기판상에서 에피택셜 성장되고 Ti가 Al에 의해 부분 치환되는 TiN 박막과; TiN 박막상에서 에피택셜 성장되는 금속 박막; 및 금속 박막상에서 배향 성장되고 페로브스카이트 구조를 갖는 산화물로 조성되는 강유전체 박막을 포함하는 강유전체 박막 소자로서, TiN 박막에서 Ti를 치환하는 Al의 치환량은 Al 원자로 환산하여 약 1 내지 30%이며, TiN 박막의 산소 함유량은 산소 원자로 환산하여 약 5% 이하임을 특징으로 한다.</p> |
