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1.一种动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其步骤包括:提供一矽基底,其上形成有一电晶体,包括闸极、源极/汲极区及一场氧化区;形成一第一绝缘层于该矽基底上,并蚀刻之以形成一接触开口露出该源极/汲极区之一的基底表面;形成一第一导电层于该接触开口的基底表面及该第一绝缘层上;形成一第二绝缘层于该第一导电层上,涂布一光阻层于该第二绝缘层上,再以习知的光学微影及蚀刻技术定义该第二绝缘层,保留该接触开口上方的区域,以做为该第一导电层后续蚀刻时的罩幕;形成一第三绝缘层于该第一导电层及该接触窗口上的第二绝缘层上;非等向性蚀刻该第三绝缘层,而于该第二绝缘层之侧壁形成一侧壁间隔层;以该接触开口上的第二绝缘层及该侧壁间隔作罩幕,蚀刻该导电层;去除该第二绝缘层;以该侧壁间隔层作罩幕,蚀刻该第一导电层的表层部份,形成一突出的结构,自动对准于该侧壁间隔层之边缘,以做为电容器之下层电极;去除该侧壁间隔层;形成一介电层于该下层电极上;以及形成一第二导电层于该介电层上,以做为电容器之上层电极,完成该动态随机存取记忆体之记忆单元的制造。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该闸极并以磷离子做掺杂布植,以增加导电性,该掺杂离子之剂量约为8E15且能量约为30KeV。3.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第一绝缘层例如是二氧化矽,其较佳厚度约介于1000-1500A。4.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第二绝缘层例如是二氧化矽,其较佳厚度约介于3000A。5.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第三绝缘层例如是氮化矽,其较佳厚度约介于3000A。6.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第一导电层例如是复晶矽,其较佳厚度约介于4000A。7.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第二导电层例如是复晶矽,其较佳厚度约介于1000A。8.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该介电层例如是氮化矽,其较佳厚度约介于60A。9.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第一绝缘层在蚀刻过程中所用蚀刻气体例如是CF4/CF3H/Ar。10.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第二绝缘层在蚀刻过程中所用蚀刻气体例如是CF4/CF3H/Ar。11.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第三绝缘层在蚀刻过程中所用蚀刻气体例如是CF4/CHF3/NF3。图式简单说明:第一图A-第一图D是部份剖面图,其绘示的是习知一种半导体元件之电容器的制造流程。第二图A-第二图J是根据本发明一较佳实施例所形成的一半导体电容元件的部份剖面示意图。 |
