| 发明名称 |
Monitoring of rf-plasma induced potential on a gate dielectric inside a plasma etcher |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0678909(B1) |
申请公布日期 |
1999.07.14 |
| 申请号 |
EP19940830187 |
申请日期 |
1994.04.20 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
MACCAGNO, PIERRE |
| 分类号 |
H01L21/66;H01L23/544;(IPC1-7):H01L21/66 |
主分类号 |
H01L21/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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