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发明名称 METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM HAVING LOW LEAKAGE CURRENT AND HIGH BREAK DOWN VOLTAGE
摘要
申请公布号 KR0151233(B1) 申请公布日期 1998.12.01
申请号 KR19940024165 申请日期 1994.09.22
申请人 NIPPON DENKI KK 发明人 YOKOZAWA, AYUMI
分类号 H01L27/04;H01L21/02;H01L21/318;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/318 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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