| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括半导体衬底1和淀积于其上的外延层，用于支撑一已构型的其上提供有金属层5的绝缘层4。在正向电压不变情况下，为了使半导体器件获得较低的电容，外延层包括第一和第二外延层2，3，与半导体衬底1相接的第一外延层2与第二外延层3的导电类型相同，但掺杂浓度大于第二外延层3。 | ||
| 申请公布号 | CN1146076A | 申请公布日期 | 1997.03.26 |
| 申请号 | CN96110596.8 | 申请日期 | 1996.07.18 |
| 申请人 | 德国ITT工业股份有限公司 | 发明人 | 昆特·伊格尔 |
| 分类号 | H01L29/872 | 主分类号 | H01L29/872 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括半导体衬底(1)和淀积于其上的外延层，所述外延层为一已构型的其上提供有金属层(5)的绝缘层(4)所覆盖，其特征在于：所述外延层包括第一外延层(2)和第二外延层(3)，与半导体衬底(1)相接的所述第一外延层与所述第二外延层(3)的导电类型相同，但掺杂浓度大于所述第二外延层(3)。 | ||
| 地址 | 联邦德国弗赖堡 | ||