| 主权项 |
1. 一种半导体装置,包含:具有主要表面的基质(10,80),该基质包括矽;位于选自包括下列位置的第一个区域;在基质内且与主要表面相邻的位置(11);和覆于基质处(132,41,101,122,134,135,132,41,101,122,135,141,144,145);及覆于第一个区域上的第一层(21,161,61,81,111,121,125,133和137),其中:包括元素金属及其导电性金属氧化物之第一层,该元素金属为铼(Re)、钌(Ru)、铱(Ir)或锇(Os);此元素金属能够在氧化反应中被氧化成导电性金属氧化物;此导电性金属氧化物能够在还原反应中被还原成元素金属;此氧化反应和还原反应是可逆反应;且在第一个区域于第一个反应中参与反应之前,第一层先在一个可逆反应中参与反应。2. 一种半导体装置,包含:具有主要表面的基质,该基质包括矽;第一个区域,选自包括:基质(11)、覆于基质上的含矽层(132)、电极(135)、覆于基质上的阻挡层(140和144)、覆于基质上的接触式插塞(13,142.34和132)和覆于基质上的取路式插塞及覆于基质上的内层接触器(145):覆于第一个区域上的第一层(21,161,121,133和137),其中第一层包括元素金属及其导电性金属氧化物,该元素金属为铼(Re)、钌(Ru)、铱(Ir)或锇(Os),其中,在第一个区域被氧化之前,元素金属能够先被氧化成其导电性金属氧化物。3. 一种铁电型电容器,包含:铁电层(41,101,122和134);和覆于铁电层上的第一层(61,111,125和137),其中:第一层包括元素金属及其导电性金属氧化物,该元素金属为铼(Re)、钌(Ru)、铱(Ir)或锇(Os);且在铁电层被还原之前,导电性金属氧化物能够先被还原成元素金属。图示简单说明:图1-2分别是在根据本发明的一个具体实施例中,在接触式插塞上形成包含金属化合物(包括元素态金属及其导电性金属化合物)之料层的不同步骤时之基质的部分截面图。图3.5和6分别是在根据本发明另一个具体实施例中,在内层接触器上形成包含之金属化合物(包括元素态金属及其导电性金属化合物)之料层的不同步骤时之基质的部分截面图。图4和9分别是不同的材料及它们的氧化物于不同的材料温度下与氧气分压对数値之间的关系图。图7.8.10和11分别是在制造铁电型电容器所用的电极的不同步骤时之,基质的部分截面图,其中,此电极中包括元素金属及其导电性金属化合物。图12-17分别是根据本发明的另一个具体实施例之基质的部分截面图,由这些截面图可看出此装置包括元素金属及 |
