发明名称 PROCESS AND DEVICE FOR GENERATING BEAMS OF ANY HIGHLY CHARGED IONS HAVING LOW KINETIC ENERGY
摘要 <p>Vorhanden ist eine Plasmakammer (5), in der das für die Plasmaerzeugung erforderliche Vakuum erzeugt wird und in die die Mikrowellen eingekoppelt werden, eine Plasmaelektrode (10) und eine Extraktionselektrode (13), durch die hindurch die erzeugten Ionen aus dem Plasma extrahiert werden, wobei durch Spannungsdifferenz (etwa 20 kV) zwischen der Plasma- und der Extraktionselektrode ein sogenanntes Ziehfeld aufgebaut wird. Die Plasmakammer (5) ist mit einem oder mehreren Materialverdampferöfen (8) ausgestattet, die es gestatten, Plasmen und damit Ionen beliebiger Elemente zu erzeugen. Dem aus der Plasmakammer (5) kommenden und durch die Plasma- und Extraktionselektrode (10 bzw. 13) hindurchtretenden Ionenstrahl (11) wird ein in der Extraktionselektrode (13) erzeugter und elektrisch wie magnetisch gebündelter Elektronenstrahl (12) derart überlagert, dass sich ein elektronischer Extraktionskanal mit Raumladungskompensation für die Ionen ausbildet.</p>
申请公布号 WO1994003919(A1) 申请公布日期 1994.02.17
申请号 EP1993002047 申请日期 1993.07.30
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
地址