发明名称 NOVEL GALLIUM ARSENIDE PRECURSOR AND LOW TEMPERATURE METHOD OF PREPARING GALLIUM ARSENIDE THEREFROM
摘要 Un nouveau précurseur d'arséniure de gallium possède la formule R2GaAs(SiR')2 dans laquelle R est sélectionné dans le groupe comprenant un groupe cycloaliphatique à substitution alkyle et un groupe aromatique à substitution alkyle, et R' est un alkyle. De préférence, R représente un pentaméthylcyclopentadiényle et R' est un méthyle. Le précurseur réagit avec un alcool, de préférence de l'éthanol ou t-butanol à une température comprise entre -20°C et 60°C, de préférence à température ambiante, dans des conditions d'absence d'eau pour former de l'arséniure de gallium solide et des sous-produits qui sont liquides dans les conditions de la réaction.
申请公布号 WO8904316(A1) 申请公布日期 1989.05.18
申请号 WO1988US03716 申请日期 1988.10.26
申请人 CORNELL RESEARCH FOUNDATION, INC. 发明人 THEOPOLD, KLAUS, H.;BYRNE, ERIN, K.
分类号 C07F9/70;C22C1/00;(IPC1-7):C07F9/70;C22C28/00 主分类号 C07F9/70
代理机构 代理人
主权项
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