| 发明名称 | 一种过孔和金属沟槽的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种过孔和金属沟槽的制作方法，金属沟槽和过孔制作于硅基底，硅基底具有中间阻挡层和底部阻挡层；它包括以下步骤1：在硅基底表面制作过孔光阻，蚀刻掉预制作过孔的硅基底中间阻挡层上介质及预制作过孔的硅基底中间阻挡层；2：在硅基底表面制作金属沟槽光阻，蚀刻掉预制作金属沟槽的硅基底中间阻挡层上部分介质，同时蚀刻预制作过孔硅基底底部阻挡层上部分硅基底；步骤3：蚀刻去除预制作金属沟槽的硅基底中间阻挡层上残余的硅基底和过孔底部阻挡层上残余的硅基底，同时形成金属沟槽及过孔。本发明去除了传统制作中Barc回刻步骤，避免因Barc回刻引起的弊端，同时提高了制作的过孔和金属沟槽的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN101587855A | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200810037682.8 | 申请日期 | 2008.05.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周鸣;尹晓明 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈 蘅;李时云 |
| 主权项 | 1、一种过孔和金属沟槽的制作方法，所述金属沟槽和过孔均制作于硅基底，所述硅基底具有中间阻挡层和底部阻挡层；其特征在于，过孔和金属沟槽的制作方法包括以下步骤：步骤1：在所述硅基底表面制作过孔光阻，蚀刻掉预制作过孔的硅基底中间阻挡层以上介质及预制作过孔的硅基底中间阻挡层；步骤2：在所述硅基底表面制作金属沟槽光阻，蚀刻掉预制作金属沟槽的硅基底中间阻挡层上部分介质，同时进一步蚀刻预制作过孔硅基底底部阻挡层以上部分硅基底；步骤3：蚀刻去除预制作金属沟槽的硅基底中间阻挡层上残余的硅基底和过孔底部阻挡层上残余的硅基底，同时形成金属沟槽及过孔。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||