| 主权项 |
1.一种沉积介电质于支持体上之半导体基板上而 形成电容器部分之方法,包括由金属标靶反应性溅 镀金属氧化物层至基板上,该方法特征在于:该支 持体被施加偏压致使介电质形成时诱生一跨越所 沉积的介电质之直流电压,且其中该被诱生的电压 系于200至300伏之范围。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该支持体系利 用射频或脉冲直流电源供应器施加偏压。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该标靶系藉射 频或脉冲直流电源供应器施加偏压。 4.如前述申请专利范围第1项之方法,进一步包括于 沉积后或沉积期间氧化物之电浆氧化。 5.如前述申请专利范围第1项之方法,其中该介电质 系被沉积于第一电极上,且分立的第二电极系被沉 积于上表面上而界定出多个电容器。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中各个各第二电 极面积系小于0.01平方厘米。 7.如前述申请专利范围第1项之方法,其中该金属氧 化物为五氧化二钽。 8.如申请专利范围第4项之方法,其中该金属氧化物 为五氧化二钽。 图式简单说明: 第一图为通过根据本发明之电容器阵列之示意剖 面图。 |
