| 发明名称 |
制作MESFET之方法METHOD FOR FABRICATING A MESFET |
| 摘要 |
本发明提供一种金属半导体场效电晶体(MESFET)及其制造方法。该方法包括形成一n型通道部于一基底中及形成一p型通道部于该基底中。该n型通道部的一边界与该p型通道部的一边界系界定出一本质区域(intrinsicregion)于该基底中。 |
| 申请公布号 |
TW200733257 |
申请公布日期 |
2007.09.01 |
| 申请号 |
TW096100279 |
申请日期 |
2007.01.04 |
| 申请人 |
M/A商业公司 |
发明人 |
威斯洛 汤玛士 艾伦 |
| 分类号 |
H01L21/338(2006.01);H01L29/812(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/338(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈传岳 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
