| 主权项 |
1﹒一种由银杏苦内酯C制造银杏苦内酯B之方法:包含下列连续之四步骤:─将银杏苦内酯C之10─羟基保护转化成烷酯,此反应系在15至50℃于二甲基甲醯胺中进行4至10小时;─利用活化剂选自硫代碳酸苯酯(其中苯基可任意被一或多个卤原子取代)及1,1"─硫代羰二咪唑使所得之10─保护之银杏苦内酯C之7─羟基分别活化成(R)硫代羰酯,其中R中系苯氧基,或被一或多个卤原子取代之苯氧基或咪唑基,此项活化作用系在O至40℃温度及硷性条件下进行1至24小时;一在游离基产生剂存在下,于对质子呈惰性之溶剂中,以氢化三丁锡处理使所得10─保护7一活化之银杏苦内酯C之7─活化基脱氧,此反应系在70至110℃及惰气下进行15分钟至3小时,及─使前述所得10一保护之银杏苦内酯B脱除保护基而得10一羟基。2﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中C─10羟基被保护成乙醯酯,正丁醯酯或正戊醯酯,而此项转变之保护剂分别为醋酐,正丁酐及戊酐。3﹒根据申请专利范围第1项之方法﹒其中第一步骤系在20至40℃进行7至9小时。4﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中以1至3当量之活化剂分别选自下列之氯硫逐甲酸苯酯(phenylchlorothionoformate氯硫逐甲酸2,4,6一三氯苯酯(2,4,6一trichlorophen"lchlorothionoformate,、氯硫遂甲酸五氟苯酯(pentafiuorophenylchlorothionoformate)及1,1'─硫羟二咪唑处理银杏苦内酯C之7─羟基,可分别转变成式中R系苯氧基,2,4,6─三氯苯氧基,五氟苯氧基或咪唑基之(R)硫羰酯。5﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中第二步骤系在至少含1至90%体积之啶溶剂混合物或在含有2至4当量4─(二甲胺)啶之乙中进行。6﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中第二步骤系在选自乙,苯,甲苯及其混合物之溶剂中进行。7﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中在游离基产生剂选自a,"─偶氮异丁或第三丁基化过氧氢存在下,采用2至4当量的氢化三丁锡或三─(三甲基甲矽烷基)矽烷。8﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中惰性气氛围为氮或氩氛围。9﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中10─保护基之断裂系在浓氨溶液存在下进行,接着酸化以保护内酯环封闭。 |
