| 摘要 |
Un substrat de type SOI est recouvert par un motif en matériau semi-conducteur qui comporte un motif de partage (8) en matériau électriquement isolant. Le motif de partage (8) est enrobé par un ou plusieurs matériaux semi-conducteurs. Le motif en matériau semi-conducteur est recouvert par une électrode de grille (3) qui fait face au motif de partage (8). Le motif en matériau semi-conducteur et le motif de grille (3) sont recouverts par une couche de recouvrement (13a, 13b)). Le substrat est éliminé pour accéder aux zones de source/drain (5, 6). Une deuxième couche de couverture (18) est déposée et des trous d'accès sont formés pour accéder aux zones de source/drain (5, 6) et à l'électrode de grille (3). |
