发明名称 |
半导体存储装置 |
摘要 |
在以规定的间距重复设置有在第1方向上延伸的1对布线的半导体存储装置中,具备按照规定模式的重复单位,设置有多个由栅极与1对布线中的一方布线相连接的MOS晶体管,和栅极与1对布线中的另一方布线相连接的MOS晶体管所构成的双晶体管的双晶体管群;双晶体管群的重复单位内,包括多个由两个MOS晶体管与第1方向相邻接配置而成的双晶体管,以及1个或多个由两个MOS晶体管在不邻接且偏斜的方向上相向设置而成的双晶体管。 |
申请公布号 |
CN100449761C |
申请公布日期 |
2009.01.07 |
申请号 |
CN200510076007.2 |
申请日期 |
2005.06.03 |
申请人 |
尔必达存储器股份有限公司 |
发明人 |
关根顺一 |
分类号 |
H01L27/108(2006.01);G11C11/409(2006.01);H01L21/8242(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/108(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
1.一种半导体存储装置,以规定的间距重复设置有在第1方向上延伸的1对布线,其特征在于:按照下述方式构成:具备双晶体管群,其按照规定模式的重复单位,设置有多个双晶体管,该双晶体管由栅极与所述1对布线中的一方布线相连接的第1MOS晶体管,和栅极与所述1对布线中的另一方布线相连接的第2MOS晶体管所构成,所述双晶体管群的重复单位内,包括多个由在所述第1方向相邻接配置所述第1及第2MOS晶体管而构成的双晶体管,以及1个或多个由不邻接且在相对所述第1方向以及与该第1方向正交的方向偏斜的方向上相向设置所述第1及第2MOS晶体管而构成的双晶体管。 |
地址 |
日本东京 |