| 发明名称 | 在电子器件中形成STI区的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造集成电路的方法，具体地涉及形成浅沟隔离(STI)区的步骤。根据本发明的方法导致具有减小窄宽度效应和边缘泄漏的电子器件和集成电路。这是通过在形成STI区之后、在STI区的边缘附近执行附加粒子注入步骤来实现的。 | ||
| 申请公布号 | CN101164158A | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200680004437.6 | 申请日期 | 2006.02.01 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 纪尧姆·迪布瓦;乔安·D·博特 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种在电子器件的制造工艺中形成隔离区(49)的方法，所述方法包括：在衬底(41)的顶部上形成已构图的掩模层(44)和第一层(45)，所述已构图的掩模层(44)具有侧壁；在已构图的掩模层(44)的侧壁处形成隔板(46)；使用所述已构图的掩模层(44)和所述隔板(46)作为掩模，在所述衬底(41)中形成沟槽(47)；通过填充所述沟槽(47)形成浅沟隔离区(49)；至少使用所述已构图的掩模层(44)作为掩模，执行第一离子注入；以及去除所述已构图的掩模层(44)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||