| 发明名称 | 具有超高反向击穿电压的氮化镓发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明的一个实施例提供一种基于氮化镓(GaN)的半导体发光器件(LED)，包括：n型基于GaN的半导体层(n型层)；有源层；以及p型基于GaN的半导体层(p型层)。在生长有源层与p型层之前通过使用氨气(NH<SUB>3</SUB>)作为氮源来外延地生长n型层。在V族元素和III族元素之间的流速比率从初始值逐渐地减少到最终值。基于GaN的LED表现出等于或者大于60伏特的反向击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101378102A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200710168024.8 | 申请日期 | 2007.11.02 |
| 申请人 | 晶能光电（江西）有限公司 | 发明人 | 江风益;王立;方文卿;莫春兰;蒲勇;熊传兵 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种基于氮化镓(GaN)的半导体发光器件(LED)，包括:n型基于GaN的半导体层(n型层)；有源层；以及p型基于GaN的半导体层(p型层)；其中在生长所述有源层与所述p型层之前通过使用氨气(NH3)作为氮源来外延地生长所述n型层；以及其中在所述n型层的外延生长过程中V族元素与III族元素的流速比率或者V/III比率从初始值逐渐地减少到最终值。 | ||
| 地址 | 330047江西省南昌市南京东路235号南昌大学北区(材料科学研究所) | ||